本发明提出一种判断复合介电层质量的方法,包括下列步骤:在半导体衬底上化学气相沉积复合介电层,所述复合介电层包括一层或者一层以上低介电常数介电层,和一层或者一层以上低介电常数阻挡层,其中,任意一层低介电常数介电层和低介电常数阻挡层的材料都不相同;对所述复合介电层进行干法蚀刻直至露出半导体衬底,形成凹槽结构;对所述凹槽结构的侧壁进行湿法蚀刻,形成刻蚀程度不同的侧壁结构;对所述复合介电层的侧壁结构进行分析,以便判断复合介电层的质量。本发明提出的判断复合介电层质量的方法,可简单有效地判断复合介电层的质量,节省大量时间。
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