本发明属于基本电器元件领域,具体的说,本发明提供了一种三维点阵纳米结构电极及其制备方法。采用各种手段,包括物理、化学或
电化学的方法制备与加工纳米
功能材料是近来纳米制备技术的前沿领域。传统方法在电极表面制作电聚合高分子膜,一般使用一步法完成,该一步法可以是恒电流电解过程,也可以是恒电位电解过程。这样制备得到的电聚合高分子膜呈现的是网络状的平面展开的结构,不具有三维点阵立体结构的特征。基于多步恒电流
电解技术,本发明提供了一种的三维点阵纳米高分子有序膜及其制备方法。该三维膜的比表面远大于传统方法得到的高分子膜。因此,本发明的电极可有效用于制备高通量的
芯片,检测、鉴定待测物中目的分子的含量。
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“三维点阵纳米结构电极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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