本发明属于有机
半导体材料，其公开了一种含噻吩有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，该含噻吩有机半导体材料具有如下化学结构通式：式中，R为甲基、乙基或者叔丁基中的任意一种。本发明提供的含噻吩有机半导体材料，通过差热分析扫描对该含噻吩有机半导体材料的性能进行表征，结果表明该材料具有优异的热稳定性；同时，该类材料具有良好的溶解性和成膜性，并且通过光谱测试，发现这种材料的最大发光波长在蓝光范围，具有较宽的能隙；另外，这种发光材料由于结构中吡啶环、噻吩环及二芳基胺的存在，使材料具有较好的电子传输性能。
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“含噻吩有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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