一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－ 2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的
半导体材料，使用该 半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中 在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面， 富－碳表面满足比率R＝ (I284.5/I282.8)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器 (XPS)测量时，I282.8 (ISiC)是在与化学计量SiC有关 的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度， 以及I284.5 (IC)是在与石墨、 SiCx (x＞1)或 SiyCH1－ y (y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰 值的C1s信号的积分强度。
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来源：北方有色网
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