一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－ 2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的
半导体材料，使用该 半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中 在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面， 富－碳表面满足比率R＝ (I284.5/I282.8)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器 (XPS)测量时，I282.8 (ISiC)是在与化学计量SiC有关 的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度， 以及I284.5 (IC)是在与石墨、 SiCx (x＞1)或 SiyCH1－ y (y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰 值的C1s信号的积分强度。
声明：
“半导体材料、其制造方法以及半导体器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
943
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
