本发明属于低温等离子体化学技术领域。本发明由不包含基片的温度测控的等离子体辅助沉积
碳化硅薄膜的装置加上尘埃颗粒的监控部分组成,其特征是:由激光器和光具组来照明尘埃颗粒,由记录设备和计算机来记录和分析尘埃颗粒的状况,沉积碳化硅薄膜的反应室设计成透明的或开一个以上观察窗口,用微凹的驱动极,直流负偏压电源,从反应室外向反应室内投入尘埃颗粒的部件来控制尘埃颗粒。本发明的效果和益处是能克服传统方法中由于高温所致的种种缺点,能够在常温下沉积碳化硅薄膜,可广泛用于需要沉积碳化硅薄膜的各种领域,改变工作介质,还可沉积其他类型的薄膜。
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“用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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