本发明公开了一种
半导体材料放大光纤，本发明纳米半导体薄膜内包层光纤结构,考虑半导体材料能带结构特性,实现新型结构光纤,并采用改进的化学气相沉积法,在相应实验设备条件下制备出50m纳米半导体薄膜包层光纤；通过对光纤掺杂半导体材料的特性分析,从
纳米材料的制备、光纤拉制的过程等方面,探讨并制成了掺纳米半导体InP材料放大光纤通过等离子发射光谱仪和扫描电镜,对制备出的新型结构光纤进行掺杂浓度测试和微观结构观察；由测试系统得到制备光纤的光放大增益曲线和超连续谱,获得光纤的放大增益。
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来源：北方有色网
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