本发明公开了一种非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法。所述的非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器包括：低阻Si为衬底，同时为栅极；SiO2薄膜为绝缘层；非晶ZnSnO薄膜为沟道层；Al薄膜为源极和漏极。非晶ZnSnO薄膜采用溶液法制备，将Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇溶剂中，加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驱体溶液，经搅拌、混合、陈化后形成溶胶，直接旋涂于衬底上，并进行退火处理，得到非晶ZnSnO薄膜。非晶ZnSnO薄膜化学式为ZnxSn1-xO，其中0< x< 1；薄膜厚度为100~200nm，可见光透过率> 80%。
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来源：北方有色网
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