本发明涉及一种窄带红外探测
芯片及其制作方法，包括以下步骤：选取单晶硅片，蒸镀一定厚度的金；通过PECVD设备进行表面沉积一定厚度的SiO2；旋涂PMMA曝光胶；设计十字交叉结构的纳米棒阵列，精确控制纳米棒阵列的尺寸参数，通过电子束曝光设备将所设计的结构转移至PMMA曝光胶；进行曝光处理，并通过电子束蒸镀设备进行金蒸镀；进行化学溶液浸泡，去掉PMMA曝光胶，此时硅片上会呈现十字形纳米棒的阵列结构。本发明通过引入光学纳米结构的参数优化设计，实现窄带的红外探测，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广和普及。
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“窄带红外探测芯片及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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