本发明公开了一种硒化锑自驱动薄膜光电探测器的制备方法，方法包括步骤：提供镀钼玻璃衬底；在镀钼玻璃衬底上磁控溅射Sb前驱体膜，对Sb前驱体膜进行硒化处理，得到Sb2Se3薄膜；采用化学水浴法在Sb2Se3薄膜上沉积CdS缓冲层；采用溶液旋涂和热处理向CdS缓冲层中引入Al3+，得到Al3+掺杂的CdS缓冲层；在Al3+掺杂的CdS缓冲层上磁控溅射沉积ITO窗口层，热蒸发Ag电极，得到硒化锑自驱动薄膜光电探测器。本发明采用磁控溅射法和硒化处理自组装生长Sb2Se3薄膜，能明显降低Sb2Se3薄膜的深能级缺陷密度，减少光生载流子复合；Al3+掺杂能降低界面缺陷密度、增加耗尽层宽度以及优化p‑n结界面能带排列，本发明制得的Sb2Se3自驱动薄膜光电探测器能实现无外加偏压自驱动工作，响应度和探测度大幅提升。
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来源：北方有色网
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