pn结MgxZn1－xO薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用MgxZn1－xO薄膜作为光电转换器件，其光谱响应度有待提高；而虽然pn结MgxZn1－xO薄膜因pn结的雪崩作用而具有很高的转换效率，但只是被用做电光转换器件。本发明采用pn结MgxZn1－xO薄膜，底部电极介于衬底与pn结MgxZn1－xO薄膜之间，偏置电压电极、信号电压电极位于pn结MgxZn1－xO薄膜上表面且相离，偏置电压电极与底部电极为pn结MgxZn1－xO薄膜提供偏置电压，信号电压电极与底部电极将pn结MgxZn1－xO薄膜产生的信号电压输出。该方案应用于200～300nm紫外导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测等领域。
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来源：北方有色网
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