本发明涉及光电探测领域，具体涉及一种
石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法；该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；衬底上依次热氧化生长第一绝缘层氧化硅，磁控溅射法生长第二绝缘层氮化
铝作为双绝缘层，增强型化学气相沉积法生长石墨烯层于双绝缘层上，石墨烯层两端设有源极和漏极，源极和漏极之间涂覆一层量子点光敏介质层。本发明通过设计合理的器件结构，在光照情况下量子点和石墨烯之间可发生有效的电荷转移，从而将特定频率的光转换成光电流，最终实现对入射光的有效探测。
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“石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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