本发明提供了一种光电探测器及其制作方法，该光电探测器的制作方法包括：在衬底上依次生长第一半导体接触层和介质层；去除部分介质层，形成沿靠近第一半导体接触层方向延展的开孔，以限定外延层的生长区域，其中，开孔贯穿介质层；根据外延层的生长区域，采用沉积的方式在第一半导体接触层上选择性生长台型形状的外延层；去除第一半导体接触层上剩余的介质层，并在衬底上形成接触金属层。该光电探测器可以解决干法刻蚀造成物理缺陷和反应离子污染的问题以及化学湿法腐蚀工艺造成的一致性差的问题。该光电探测器的制作方法制作工艺简单，由该制作方法制作的光电探测器具有台型结构，且一致性好，可靠性高。
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来源：北方有色网
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