本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs
3Cu
2I
5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法，自供能光电探测器包括绝缘透明的衬底，衬底的上端从下到上依次设有载流子传输层、Cs
3Cu
2I
5光吸收层和第一接触电极，载流子传输层上设有第二接触电极；制备方法采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层，采用溶液或气相共蒸方法制备Cs
3Cu
2I
5光吸收层，保证载流子传输层与Cs
3Cu
2I
5光吸收层之间形成交错型能带排列，利用异质结界面处内建电场的形成使得光生载流子发生分离，从而实现探测器在零伏下的工作。本发明制备方法简单，各功能层均环境友好，所制备的器件对紫外光有高的探测率，紫外可见光抑制比超过10的四次方，具有良好的应用前景。
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“基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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