本发明提供了一种测试结构，包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构，每一所述子MOS结构包括栅极以及有源区；第i行、第j列的所述子MOS结构还包括栅极通孔以及有源区通孔；n≥3，m≥3，1＜i＜n，1＜j＜m，n、m、i、j均为正整数。本发明还提供一种测试结构的版图生成方法。在所述测试结构中，第i行、第j列的所述子MOS结构作为待测试的MOS管，其余的所述子MOS结构作为冗余MOS管，提高所述测试结构中的图形密度分布的均匀型，使得所述测试结构在制备过程中，避免受化学机械研磨和刻蚀等工艺的影响大，从而提高可靠性测试的结果的准确度。
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来源：北方有色网
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