本发明提供一种MgGa
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4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa
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4薄膜；S2、在MgGa
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4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa
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4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa
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4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa
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4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa
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4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
声明：
“MgGa2O4紫外探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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