本发明涉及
半导体技术领域，尤其涉及硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，制备晶片样品的横截面和利用染色技术对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层；所述染色技术应用的染色溶液由质量浓度为69％的硝酸与质量浓度为49％的氢氟酸按体积比为20:1配置而成和染色的时间为3‑5秒。本发明提供的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，为了在晶片样品的横截面上把硅外延层和硅衬底本体明显区分，使用本发明提供的化学染色技术对样品进行染色，达到了检测硅外延层厚度的目的。
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“硅衬底上硅外延层厚度的测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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