本发明属于高压输变电设备的安全检测领域，具体涉及一种Ga
2O
3薄膜基日盲紫外探测器、制备方法及应用，所述制备方法包括以(0001)面Al
2O
3为衬底，以三甲基镓为镓源，等离子增强化学气相沉积法在(0001)面Al
2O
3衬底上生长一层β‑Ga
2O
3膜层，在β‑Ga
2O
3膜层上方磁控溅射形成Au/Ti叉指电极。本发明的Ga
2O
3基的电晕检测装置具有响应速度快、分辨率高、作用距离远、不受太阳光的干扰、可准确定位等优点，特别合适用于高压变电系统、高压输电线路等各种恶劣环境下的应用。对架空输电线路和变电设备产生的电晕进行探测具有极大的商业价值。
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“Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器、制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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