本发明公开了一种低温（150oC）检测氮氧化物气敏元件的制备方法：首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽
电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；其次以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；然后，在水平管式炉中采用热退火金属钨薄膜的方法制备多孔硅/氧化钨纳米线复合结构；最后，在多孔硅/氧化钨纳米线复合结构表面沉积铂电极，制得低温检测氮氧化物气敏元件，其在低温且对低浓度NOx气体具有高灵敏度、高选择性以及良好响应恢复特性。该方法具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低的优点，具有重要的实践与研究意义。
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来源：北方有色网
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