本发明揭示了一种硅纳米线生物检测
芯片的结构及制造方法，该结构包括半导体衬底、生长在半导体衬底上的二氧化硅隔离层、生长在二氧化硅隔离层上的
多晶硅层和生长在多晶硅层上的结构层；其中，多晶硅层中包括图形化形成的硅纳米线阵列；结构层的结构为从下至上依次包括SiON层、TaN层和/或Ta2O5层，且TaN层和/或Ta2O5层仅覆盖于硅纳米线阵列中各硅纳米线的表面。因此，本发明不仅解决了硅纳米线阵列（SiNW）在保存应用中存在的容易受污染的问题，且能使生物芯片经受Na、K、Fe、Cu和Ca等离子的扩散污染的考验，以及PH值等多种化学因素的影响，即实现了检测的高稳定性。
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“用于硅纳米线生物检测芯片的结构及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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