本发明涉及一种赭曲霉毒素A光
电化学传感器的制备方法及应用。该方法利用BiVO4/TiO2作为基底材料，其优良的导电性和大的表面积能有效减小背景信号。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法，在BiVO4表面原位生成高光电转换率的窄带隙Ag2S光电活性材料，通过可见光波长的LED灯照射Ag2S，产生光电流信号。载体BiVO4/TiO2与Ag2S能带匹配度良好，能进一步提高Ag2S的光电转换信号，从而实现了赭曲霉毒素A的高灵敏测定。
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“赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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