本发明公开了一种用扫描
电化学显微镜研究氨基功能化二氧化硅纳米通道选择渗透性的方法，该方法包括，将SiO
2纳米腔阵列电极浸泡在3‑氨丙基三甲氧基
硅烷的丙酮溶液中，静置，清洗，烘干，得到NH
2‑SiO
2/ITO电极；扫描电化学显微镜采用四电极体系，SECM探针为工作电极1，NH
2‑SiO
2/ITO电极为工作电极2，在样品溶液中将工作电极1向工作电极2移动，得到电流随距离变化的渐近曲线；再由渐近曲线得出样品的在氨基功能化的二氧化硅纳米通道中的扩散速率常数。采用本发明的方法可以测定样品在不同条件下在氨基功能化的二氧化硅纳米通道的渗透性，对认识离子或分子选择渗透机理具有重要意义。
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“用扫描电化学显微镜研究氨基功能化二氧化硅纳米通道选择渗透性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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