一种用于化学干蚀刻系统的系统和方法。本发明提供了一种执行用于集成电路制造的蚀刻工艺的方法。该方法包括提供半导体晶片,所述半导体晶片包括待在等离子体室中进行蚀刻的层。该方法还包括将半导体晶片保持在预定环境中的步骤。该方法包括使层的一部分经受等离子体环境。等离子体环境包括一种或更多种等离子体物质。例如,等离子体物质用于执行蚀刻。该方法还包括使用感测设备监视第一传输装置中的压力条件。传感设备在空间上配置在阀和抽运设备之间。阀耦合到等离子体室所耦合的第二排气装置。该方法还包括确定在第一排气装置内的压力条件是否在预定条件内。该方法包括,如果在第一排气装置内的压力条件在预定条件内,则通过第一排气装置、通过阀以及通过第二排气装置将一种或多种等离子体物质去除。
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来源：北方有色网
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