本发明提供了一种化学机械抛光模拟方法，包括，选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成所述研究对象的划分窗格；提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数，所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个；根据所述特征参数，采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟；得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。这种模拟方法使得CMP模拟过程更加准确，更加符合CMP的物理化学机理，从而能够得到更加精确的CMP模拟后
芯片表面形貌，确保芯片良率和性能预测的准确性。
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来源：北方有色网
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