本发明公开了一种光
电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法，所述装置包括底座、工作台、水槽、龙门单元、抛光盘单元、工作主轴单元。本发明通过采用电化学工作站进行晶片抛光过程中电压施加与电流测量，调节监控晶片的氧化速率并配合比例阀和气缸，在工控机的控制下调节晶片的抛光压力，构成一个闭环控制系统，可以实现压力的精准调节以及晶片化学氧化速度与机械去除速度协调控制，能够通过调节电场电压实现晶片氧化速率最大，再调节加载压力使机械去除速率与氧化速率匹配，进而提高晶片的材料去除率，此外，本发明的装置左右布置两套工作主轴单元，能有效减小一套工作主轴单元带来的倾覆力矩，进而提高晶片表面质量。
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来源：北方有色网
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