本发明公开了一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法,使用化学机械抛光设备对硅片研磨,在该化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器,然后循环执行以下步骤:在该化学机械抛光设备上安装新的固定环,重新设定固定环厚度值,将研磨头转到HCLU正上方,测量新的固定环上的压力值并自动记录,化学机械抛光设备开始研磨作业,当研磨头转到HCLU时,在卸下硅片的同时测量固定环的厚度,根据该厚度差计算研磨时的压力补偿值并进行调整,当固定环的厚度变薄时,应当适当调低对固定环的压力,使硅片周边的研磨速率保持不变,再进行下一次硅片研磨作业。本发明可调整研磨时RETAINER RING的压力输出,提高了CMP工艺的硅片周边的残膜厚度的稳定性。
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来源：北方有色网
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