本发明提供一种延长研磨垫使用周期的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括第一CMP阶段和第二CMP阶段，在第二CMP阶段应用光学终止点检测装置时存在终止点抓取的准备时间段（tp2）；其中，在第二CMP阶段的研磨前准备步骤设置为通过时间控制和终止点检测控制结合的模式，以准备时间段（tp2）从第二CMP阶段的主研磨步骤中前移至所述研磨前准备步骤中；并且，延长第一CMP阶段的主研磨步骤的时间（tp1），以使在该延长的时间（tp1）内的研磨厚度基本等于第二CMP阶段的主研磨在该准备时间段内（tp2）的研磨厚度。该CMP方法容易与现有CMP制程兼容，效率高。
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来源：北方有色网
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