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基于Fe2O3@Cd-ZnInxSy异质结构建的光电化学免疫传感器的制备方法

802   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 06:59:02
本发明涉及一种基于Fe2O3@Cd‑ZnInxSy异质结构建的光电化学免疫传感器的制备方法。本发明以Fe2O3@Cd‑ZnInxSy作为基底材料增强了光电流响应,Fe2O3与ZnInxSy可以形成了能级匹配的异质结结构,这种异质结结构的形成,能够有效提高光生电子的传递速度,减少电子和空穴的复合率,极大的提高了可见光利用率。掺杂镉形成了Fe2O3@Cd‑ZnInxSy的掺杂结构,降低了电子空穴对的复合,提高了电子空穴对的有效分离。以Ag@PANI作为标记物标记神经元特异性烯醇化酶第二抗体,Ag@PANI能够提高电子的传输效率,提高检测灵敏度,实现了对神经元特异性烯醇化酶的灵敏检测。其检测限为0.030 pg/mL。
声明:
“基于Fe2O3@Cd-ZnInxSy异质结构建的光电化学免疫传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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