本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用
电化学工作原理,将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的,同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中,增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复,使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测,将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比,不仅可以减少抛光液的消耗,而且可以减少抛光液后处理所带来的不便,是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。
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“金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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