本发明公开了一种束流比例检测方法及检测设备。束流比例检测方法包括：检测第一束流的生长速率v
1，检测第二束流的生长速率v
2，计算第一束流与第二束流的有效吸附束流比例N，N＝v
1/v
2。采用本发明，可以精确的计算出分子束外延生长过程中第一束流与第二束流实际参与键合反应所吸附结合到样品表面上的有效吸附束流比例，从而在实际试验过程中，根据需求快速且准确的确定出合成符合一定化学计量比的化合物
半导体材料的束流控制实验参数，进而可以减少实验的重复性和肓目性，提高实验效率和生产效率。
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来源：北方有色网
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