本发明公开了一种分析铸造
多晶硅微观结构的方法，其包括以下步骤，步骤一、将铸造多晶硅通过化学抛光和Secco刻蚀处理；步骤二、在步骤一后用大型金相显微镜进行观测和拍照；步骤三、在步骤二后进行分析。本发明的有益效果为：通过化学抛光和Secco刻蚀的方法，研究了商业多晶硅和自制多晶硅块的微观结构，经抛光后，清楚地观察到晶界、亚晶粒、半晶界和小三角等缺陷；经Secco刻蚀后，位错缺陷凸显出来，主要有密集位错、集中位错、位错排等；经抛光和Secco刻蚀后，观察和发现了各种形式的位错缺陷，通过对多晶硅微观结构的分析，进一步了解多晶硅晶体缺陷的形成机理，也可以为后续多晶硅铸锭工艺的制定和优化打下一定基础。
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“分析铸造多晶硅微观结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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