本发明公开了一种40Gb/s波导型PIN光探测器 管芯台面的化学腐蚀方法。它涉及一种光通信用40Gb/s光探 测器关键部分——双联体管芯台面的制作。该光探测器的管芯 台面，是由InP/InGaAs/InGaAsP(或InGaAs/InAlAs/InP)多层异 质材料构成的、宽×长为(6－8)×(24－26)微米、高为(2.7－3.1) 微米的斜台面结构。该台面结构，由采用特定配比的HBr－ K2Cr2O7－ H2O混合腐蚀液，通过两次(或 多次)化学腐蚀而成，并经台阶仪精确测试，达到规定要求。该 特定配比的混合腐蚀液，具有配置简单、对大多数III－V半导 体化合物材料均能适用、腐蚀速率快、使用方便等诸多特点。
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来源：北方有色网
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