一种高温混合电路结构，其中包括一通过电极 (4a，4b)与一导电安装层(8)连接的温度感测器件(2)，该温度敏 感器件包含SiC、AlN和/或 AlxGa1－ xN(x＞0.69)，所述导电安装层(8)与一A1N模片 (6)相结合。所述模片、温度感测器件以及安装层(它可以是W、 WC或W2C)的温度膨胀系数彼 此都在1.06内。安装层可完全由W、WC或 W2C黏合层或一带有一金属化 叠层(14)的黏合层(12)构成，所述金属化叠层的热膨胀系数不大 于所述黏合层的约3.5倍。可使用反应的硼硅酸盐混合物(18)， 用或不用有助于保持住导线(16)并增加结构完整性的上模片 (22)来封装该器件。本发明可用于温度感测器、压力感测器、 化学感测器以及高温和高功率电子线路。
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“有提供线性正电阻温度系数的掺杂SiC电阻的温度相关器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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