一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状态的方法，它涉及一种分析材料界面元素化学状态的方法。本发明目的是要解决采用
半导体材料化合物或过渡族金属元素化合物时，在仅采用单粒子模式刻蚀膜层分析过程中，不能真实反映实际膜层化学元素化学状态，而采用团簇模式刻蚀膜层，无法实现快速分析的问题。方法：一、采用单粒子模式下去除表面层；二、采用团簇模式下进行界面层分析。本发明主要用于分析材料界面元素化学状态。
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来源：北方有色网
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