本发明属于新型偏振光学器件领域，更具体地，涉及一种基于二维硒化亚锗的偏振相位调制器件及其设计方法。其设计方法包括以下步骤：本发明首先制作若干不同厚度的二维GeSe并将其附着于衬底上，获取这些二维GeSe的平面内光学常数，结合相位延迟量计算公式，计算得到不同厚度对应的相位延迟量，根据目标偏振相位调制器件对相位延迟量要求，确定该目标偏振相位调制器件中二维GeSe的厚度，最后通过实验测量和计算拟合的比较来检验制作得到的偏振相位调制器件是否符合要求。本方法只需简单设计便能实现偏振相位调制器件的厚度纳米化，非常具有应用前景。
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“一种基于二维硒化亚锗的偏振相位调制器件及其设计方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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