本发明公开了一种调节高熵合金基底诱发褶皱形态的制备方法，制备高熵合金基底；进行高熵合金基底的预处理；高熵合金基底生长
石墨烯；根据高熵合金基底元素和合金中原子不同控制生长的石墨烯参数调整；性能检测。本发明利用合金中同时存在溶碳量高和低的金属元素，使得生长机制同时存在碳原子固溶‑析出机制和表面自限制机制，配合控制基底组元、碳源种类、气体流速、生长温度、生长时间调节石墨烯褶皱的形成，以满足新一代电子器件传输电荷要求，充分利用墨烯电子输运特性推动电子信息产业发展。
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来源：北方有色网
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