本发明公开了一种无
铅全无机
钙钛矿铯铋碘薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在n‑型硅基底的下表面设置n‑型硅基底电极；在n‑型硅基底的上表面覆盖绝缘层，在绝缘层上覆盖钙钛矿CsBi
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10薄膜接触电极，在钙钛矿CsBi
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10薄膜接触电极上铺设钙钛矿CsBi
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10薄膜，薄膜一部分与钙钛矿CsBi
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10薄膜接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、性质稳定、电流开关比大、响应速度快。
声明：
“无铅全无机钙钛矿铯铋碘薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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