本发明公开了一种低维
半导体材料的电子自旋结构，本发明p型CuAlO2。为了进一步探求和澄清磁性半导体材料的磁性起源问题,TM元素Co和Ni掺杂CuAl02的磁学性质。选择具有
铜铁矿结构的CuAl02材料进行研究,主要因为它是天然存在的为数不多的p型半导体材料之一,通过掺杂可以实现其p型或n型的导电性,从而使这类材料更接近实际应用。
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“低维半导体材料的电子自旋结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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