本发明涉及一种压力驱动离子扩散生长制备无机
钙钛矿单晶薄膜的方法。首先用常规的溶液旋涂方法制备无机钙钛矿半导体多晶薄膜，然后用表面抛光的盖片与多晶薄膜表面紧密贴合，并用柔性耐高温薄膜包覆。接着，将样品放入充满液态传压传热介质的高压热压釜内，封釜后在热压釜上施加高压，并以设定的速度升温到设定值。恒温恒压处理一段时间后，使热压釜缓慢冷却到室温。卸去压力后，打开热压釜即可得到晶粒粒度大、结晶度高、晶界高度融合的高质量无机钙钛矿半导体单晶薄膜。本发明制备的无机钙钛矿单晶薄膜可用于研制高性能
太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等，在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。
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“压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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