本发明涉及一种阴离子掺杂的离子导体材料及其制备方法和应用，所述阴离子掺杂的离子导体材料具体为：在初始离子导体材料上进行阴离子掺杂取代，由掺杂取代离子取代初始离子导体材料中部分O
2‑离子而得到的材料；其中，初始离子导体材料具体包括LISCION固态电解质材料、NASCION型固态电解质材料、
钙钛矿型固态电解质材料或石榴石型固态电解质材料中的一种或多种混合；掺杂取代离子包括F
‑、Cl
‑、Br
‑、I
‑、
S
2‑、SO
42‑、P
3‑、NO
3‑、NO
2‑中的一种或多种。
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“阴离子掺杂的离子导体材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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