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本发明公开了一种ZnO-CuO核壳结构量子点/纳米晶及其制备方法，该材料以ZnO为被包覆内核，CuO为包覆着ZnO的外壳。该核壳结构的制备方法是先用溶胶凝胶法制备ZnO内核，再利用铜盐的水解对ZnO内核包覆一层CuO外壳。生长出来的ZnO-CuO核壳结构量子点/纳米晶在可见光波段有着良好的吸收，并且在蓝紫光附近有一个吸收峰，可用于太阳能电池、光催化、紫外功能材料等光电领域。本发明可控性强，产物均一、稳定；与现有技术相比，大大简化了操作流程，改进了操作工艺；成本低廉，适于批量生产。
本发明属于无机功能材料技术领域，具体公开了一种Ag@AgCl/TiO2‑氧化石墨烯复合材料的制备方法。该方法将Ag@AgCl纳米颗粒与GO混合后，直接与TiO2在碱性条件下水热反应得到Ag@AgCl/TiO2‑氧化石墨烯复合材料。与普通光催化材料相比，Ag@AgCl/TiO2‑氧化石墨烯复合材料在可见光区域和紫外光区域均可以发生有效的光催化反应，更充分地利用光源；该复合材料具有较大的比表面积和强吸附能力，可以更好地吸附污染物；还原氧化石墨烯的存在可以有效地抑制光生电子对的复合，从而很大程度地提高光催化性能。Ag@AgCl/TiO2‑氧化石墨烯复合材料所使用的原料便宜易得，制备和复合过程简单易行，是一种很有潜力的光催化材料。
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本发明提供一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料及制备方法与应用，属于功能材料、光催化材料制备技术领域。一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料，由单斜晶系的氧化铜纳米颗粒负载在六方晶系的氧化钨纳米线表面而成，包括以下步骤：（1）将乙酸铵、二水合钨酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、乙酸溶解得混合溶液，进行水热反应，得到氧化钨纳米线；（2）将氧化钨纳米线、铜源、氨水加入水中，在冰水浴搅拌条件下加入硼氢化钠，得到氧化铜‑氧化钨复合材料。通过冰水浴法成功合成了p‑n异质结型的氧化铜‑氧化钨复合材料，复合材料化学式为CuO‑WO3,所制备的复合材料中氧化铜纳米颗粒均匀的负载在氧化钨纳米线的表面，形成有效接触，稳定性高。
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本发明公开了一种环氧氯丙烷改性Fe3O4磁性纳米材料及其制备和应用，属于磁性功能材料的合成及水处理应用领域。本发明以环氧氯丙烷为反应介质和改性剂，以亚铁盐为铁源，采用氧化沉淀法一步合成了环氧氯丙烷原位改性Fe3O4磁性纳米材料；该材料可应用于吸附脱除水中重金属铜离子，吸附铜离子后可进一步用于催化降解水体中的新兴有机污染物(如甲硝唑等)，且涉及的制备方法原料廉价易得，操作简单方便，能耗低，是一种具有广泛应用前景的综合水处理剂。
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一种OLED有机电致发光化合物及发光层的主体材料，该化合物具有如下通式(Ⅰ)：
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一种环保型无铅铝浆及其制备方法,其组分包括:抗氧化超细铝合金微粉、硅钡硼酸盐复合玻璃料和复合有机载体。其优点是:本发明制备的无铅铝浆为无铅、镉、汞、六价铬等有害物质的环保型电子浆料,作为功能材料,完全取代了有铅铝浆,性能优异、稳定可靠,欧姆接触性好,烧结温度宽,方阻低,耐水煮,耐高压,老化寿命长,对贵金属也有良好的取代性。
本发明属于信息功能材料技术领域,具体涉及一种BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基多铁性固溶体陶瓷及其制备方法,包括如下步骤:将硝酸铋和硝酸铁加入柠檬酸溶液中溶解形成BiFeO3透明溶液,将钛酸丁酯、硝酸铋和硝酸钠加入到柠檬酸溶液中溶解形成Bi0.5Na0.5TiO3透明溶液,将BiFeO3溶液与Bi0.5Na0.5TiO3溶液按一定摩尔比混合,然后用氨水调节pH值为7～7.5,混合溶液通过陈化,除水分,干燥,形成黑色干凝胶;将干凝胶研磨,热处理排除有机物得到前驱粉体;将前驱粉体研磨、压片烧结,即得到本发明的BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基固溶体陶瓷。该固溶体陶瓷具备结构单相、低漏电流和室温铁电/铁磁共存等特性,在新兴的自旋阀器件、磁电存储器、磁电传感器和微波共振器件制造方面具有广泛的应用前景。?
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激光烧结制备β－FeSi2热电材料的方法，属于功能材料领域，特别涉及热电材料的制备，以有效消除金属相，改善微观组织结构、降低热导率、提高热电材料品质。本发明步骤为：(1)将铁粉和硅粉球磨制成微米级均匀硅铁混合粉末；(2)机械冷压或热压，制备出硅铁混合粉末块体；(3)使用激光束进行激光烧结，(4)退火处理，得到β－FeSi2块体热电材料。本发明装置包括CO2激光器、光束均匀系统和真空烧结室，光束均匀系统由转折镜、直角屋脊镜、第一凹面反射镜和第二凹面反射镜组成；真空烧结室内设置石墨坩埚、衬底座和底座电机，并配置有抽真空系统和充气阀。本发明温度易控，烧结效率高，无污染、少公害；能制备出优良的半导体及β－FeSi2热电材料。
本发明公开了一种室温多铁性BiFeO3-SrTiO3固溶体陶瓷的制备方法,属于信息功能材料技术领域。利用本方法制备得到的BiFeO3-SrTiO3陶瓷具备结构单相、低漏电流和室温铁电/铁磁共存等特性。
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本实用新型提供一种ESD全屏蔽功能箔及ESD全屏蔽功能箔电路板，本实用新型的ESD全屏蔽功能箔包括功能材料层，在功能材料层的上金属层刻蚀多行、多列条形金属块构成条形金属块阵列层；下金属层刻蚀成用于接地的金属地线，金属地线由平行的等间隔接地线A、B、C、D…和连接A、B、C、D…的M线，等间隔接地线A、B、C、D…位于条形金属块阵列的横向间隔条处，且与各自相对应的条形金属块的一端有重叠，使每一行条形金属块都与地线有重叠，重叠处形成静电脉冲吸收隧道。在PCB板任何一层夹层中放置ESD全屏蔽功能箔层，构建瞬间电能量释放网络，使电路板上的元器件对瞬间高压电脉冲能量产生屏蔽效应。
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本发明涉及纳米功能材料与电加热技术领域,具体的是涉及一种纳米复相高温陶瓷材料和膜材料。其组分以及组分的重量百分含量为主晶相60～80%,纳米级氢氧化钇与氢氧化铝混合物粉体20～40%,或者其组分包括有主晶相、纳米级氢氧化钇与氢氧化铝混合物粉体、粘结相和有机溶剂,所述的粘结相为亚微米级无铅玻璃粉体,由无铅玻璃粉体经高能球磨设备碾磨而成,所述的主晶相是采用高能球磨设备制成的亚微米级粉体硅。本发明的纳米复相高温材料具有以下效果:发热温度高;原材料不含铅、汞、镉、六价铬、聚溴二苯醚、苯等有毒物质,无环境污染,属环保型材料;高红外辐射能及高电-热辐射转换效率;耐热冲击性能优良。
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本发明提供了一种具有式（Ⅰ）结构的噻吩稠合的2,1,3-苯并二唑衍生物及其在两侧桥连噻吩后所形成的具有式（Ⅱ）结构的聚合物光电功能材料。本发明的新型受体所形成的聚合物均具有良好的溶解性，并且具有窄的带隙，是一种优良的光电功能材料，可应用于有机半导体光电领域如有机太阳能电池及场效应晶体管领域。
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本实用新型公开一种多层瞬变高压脉冲能量吸收双对称矩阵板和电路板；它包括基本功能箔，所述基本功能箔由中间电压诱变阻的功能材料层和分别附着的功能材料层上、下表面的上金属箔层和下金属箔层组成，所述上金属箔层和下金属箔层的金属箔均刻蚀成的多行、多列的条形金属块构成的条形金属块阵列，使第一矩阵层上的条形金属块一端与对应第二矩阵层上的条形金属块另一端部分重叠；PCB板矩阵板和普通电路板；采用该矩阵板制造瞬变脉冲能量全吸收PCB板，可极大地简化生产工艺，保障产品的成品率。
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本发明涉及一种有序介孔氧化硅单块的制备方法。一种光学透明的有序介孔氧化硅单块的制备方法,其特征是步骤如下:1).选取物料:按质量比为:非离子型表面活性剂∶盐酸∶正硅酸甲酯=0.5～2∶1∶1～4,其中,盐酸的pH=0.5～2;2).将非离子型表面活性剂、正硅酸甲酯、盐酸溶液混和,搅拌均匀;3).抽真空5～20分钟得到具有溶致液晶特征的溶胶;4).将溶胶置于水热釜中凝胶后,用去离子水或者酸、碱或盐溶液在60～120℃水热处理凝胶12～72h,并用乙醇或异丙醇作为萃取剂萃取除去表面活性剂;5).最后在40～110℃下加热干燥10～48h后得到光学透明的有序介孔氧化硅单块。本发明加工周期短、程序简单、重复性好、且不需要特殊的设备。制备的介孔氧化硅单块可望用于催化、分离、特别是光学功能材料等领域。
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本发明是一种类球形多孔银粉的工业化制备方法,具体是:先将碳酸银原料溶于氨水溶液中,充分混匀,配制成5～25WT.%的银铵溶液,再将所配制的银铵溶液导入喷雾干燥设备进行喷雾干燥,获得类球形多孔银粉的前驱体粉末,然后将所获得的前驱体粉末进行煅烧处理,再经降温到室温时取出,即得到类球形多孔银粉。本发明因其工艺简捷、易控制、投资成本低,适合于工业化规模生产,可在制备催化剂材料、电子陶瓷材料、防静电材料、低温超导材料、电子浆料、生物传感器材料、无机抗菌剂或除臭及吸收部分紫外线的功能材料中有广泛的应用;所制备的类球形多孔银粉,具有大量微米级以上相互沟联的孔道、比表面积高和活性高,并且结晶度高,产率也高。
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种超晶格铁电忆阻器，包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层，每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆叠形成；该功能层中任意一个由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能层的厚度均满足0.6‑5nm；第一功能材料为HfO2，第二功能材料为ZrO2或Al2O3。本发明通过对器件功能层结构及组成进行改进，区别于传统金属掺杂HfO2基铁电忆阻器，采用堆叠生长超晶格HfO2层和ZrO2层(或Al2O3层)作为铁电忆阻器功能层，具有良好的铁电性和忆阻特性。
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本发明涉及一种具有预制结构的镀膜和粉体及其制备方法。该镀膜的制备方法包括：提供基材和具有微纳结构的微纳纹理模板；在基材上施加转印UV胶；通过UV转印将微纳纹理模板施加在转印UV胶上，再通过UV固化制备过渡胶层，移除微纳纹理模板，制备中间体；采用功能材料在具有微纳结构的基材的表面上仿形沉积制备过渡分离层，或直接采用功能材料制作微纳纹理中间体过渡分离层，再采用镀层材料在过渡分离层上仿形沉积制备镀层；或采用镀层材料在具有微纳结构的基材的表面上仿形沉积制备镀层。该方法具有操作简易、微纳结构形貌可控、低成本、长效、可大批量应用的优点，具有广阔的应用前景。
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本发明提供一种具有吸收瞬间高压电脉冲能量的功能电路板芯板及制造方法，该功能芯板包括绝缘层及绝缘层上下的金属基板组成的基本芯板，在基本芯板一面的金属基板上附着的一层电压变阻功能材料层，电压变阻功能材料层上布置满用于吸收瞬间高压电脉冲能量的间隔排列的金属小方块层。金属小方块层包括长宽各为0.8mm的金属小方块，多个金属小方块由横向间隔、竖向间隔分隔，相互绝缘排列成金属小方块阵列，横向间隔、竖向间隔为0.08mm。这些金属小方块形成电能量吸收阵列，有利于应用中构建瞬间电能量吸收网络。本发明的瞬间高压电脉冲能量吸收芯板适合设置在一切多层电路板中，使电路板上的元器件对瞬间高压电脉冲能量产生屏蔽效应。
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本发明属于材料科学与工程领域，公开了一种碳纤维复合材料成形‑服役全过程在线监测方法及监测装置。该监测方法利用多功能材料的热释电效应与压电效应来监测碳纤维复合材料成形过程中的温度变化与服役过程中的健康状态。该监测装置包括对温度、应变具有响应的多功能材料作为信号源发生器，与多功能材料所引出的导线负极及构件表面正极连接的外部电路和处理器。通过本发明，可实现对碳纤维复合材料成形过程与服役过程中温度、应力、应变的实时监测，从而实现成形‑服役全过程监测，减少多种传感监测系统附加对构件性能产生的影响，实现碳纤维复合材料构件监测智能化。
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零件或模具的无模熔融层积制造方法,属于无模生长型制造方法,解决现有方法在无支撑、无模熔积成形过程中熔融材料下落、流淌、坍塌问题。本发明包括下述步骤:(1)对零件或模具的三维CAD模型进行分层切片处理;(2)计算机根据分层切片数据和各层切片尺寸和形状的特点生成各层成形所需的数控代码;(3)采用数控的气体保护焊弧或激光束,将熔融材料在基板上按照各层数控代码逐层熔积成形,直至达到零件或模具的尺寸和表面要求;同时,通过电磁装置产生作用于熔池中熔融材料的电磁场。采用本发明可以快速、低成本、高质量地获得金属、金属间化合物、金属陶瓷、陶瓷及其梯度功能材料的零件或模具。
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本发明公开一种三维共形电子部组件的增减材一体化成型系统与方法，属于电子增材制造技术领域。其包括集成为整体的多个子系统，其中，结构材料增材制造子系统用于支撑结构体或者封装结构体的3D打印，电子增材制造子系统用于电子功能材料的共形打印，减材机加工子系统用于对增材成型材料机械加工以去除多余部分或提高打印精度，热管理子系统用于为各加工区间提供辅助加热或/和冷却，机构运动控制子系统用于增材制造过程和减材机加工过程的高精度多轴联动、高精度对位和装夹。本发明还公开采用成型系统成型的方法。本发明的一体化成型系统和方法能够兼顾电子功能材料与支撑结构/封装功能材料的一次性、高精度、增减材一体化成型。
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本实用新型属于电子制造技术领域，具体涉及一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，包括导体基础层，所述导体基础层上设有导体阵列层，导体阵列层与导体基础层之间电连接，所述导体阵列层上铺设有功能材料层，所述功能材料层上设有用于刻蚀电路板附铜线的导体面层，所述功能材料层为高分子复合纳米电压变阻材料。本实用新型用于解决现有技术中瞬变高压脉冲能量吸收板制作工艺要求高的问题，提供了一种制作简单、成本低廉的解决方案。
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本实用新型涉及抗静电数据线头技术领域，尤其涉及一种全抗静电数据线头的电路板，全抗静电电路板的电路板A面和电路板B面中设有用于信号传输和用于安装电子元件的附铜线路，每一条非接地附铜线上都预留有用于释放瞬变脉冲能量的铜盘；所述铜盘表面附有一层功能材料构成壁垒，功能材料表面镀有一层金属层，金属层的一边延伸至最近的接地线，形成能量释放通道。本实用新型设计有效面积，用以构建能量释放电极S和能量吸收电极S’,并利用功能材料的涂覆及S、S’的位置，他们都不占用电路板表面空间的优势完成能量泄放通道的建立。可在极其狭小的面积和空间下实现高保真数据传输和抗静电功能，同时降低抗静电成本。
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本发明涉及一种纳米级层状稀土氢氧化物功能材料及其制备方法。本发明利用层状稀土氢氧化物层板中金属离子均匀分布的特性，选择半径相似的稀土金属离子进行同晶取代，采用聚乙烯亚胺合成法制备得到了化学式为RE2(OH)5Cl？nH2O的层状合稀土氢氧化物。所制备的稀土氢氧化物尺寸在纳米至微米范围内可调，并且通过不同稀土离子的同晶取代，可使得产物具有发射波长可调的明亮荧光（蓝光-近红外光）。本发明构筑了一种组成均匀、尺寸可调、结晶性好、层板稀土离子可掺杂、层间阴离子可交换的复合型层状光功能材料体系，且制备方法简单易行，快速方便。
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本发明涉及光纤传感技术领域，公开了一种水声传感光缆，包括光纤层、增敏层、抗拉层以及密封层；增敏层采用梯度功能材料，所述梯度功能材料涂敷于所述光纤层上，且所述梯度功能材料的弹性模量与声阻抗系数沿光缆径向由内向外逐渐减小，所述抗拉层涂敷于所述增敏层上，所述密封层套设于所述抗拉层上。本发明采用梯度功能材料涂敷于光纤层上形成增敏层，增敏层在光纤层和抗拉层之间起到中间过渡的作用，使得光纤层到外部的抗拉层的弹性模量与声阻抗系数逐渐变化，达到与内外层之间良好耦合的效果，增加受到水声声压作用时光纤纤芯的形变，同时降低不同介质声阻抗突变导致的声反射与散射，提高水声传感光缆的响应幅度、测量灵敏度。
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本申请涉及一种早强高抗渗衬砌混凝土及其制备方法，该早强高抗渗衬砌混凝土由水泥、粉煤灰微珠、机制砂、碎石、抗渗功能材料、早强剂、聚羧酸类高效减水剂、阻泥剂和水制备而成。本申请通过对废弃石灰石粉及高岭土进行复合改性，制备出的抗渗功能材料可以提高衬砌抗渗性以避免钢筋网锈蚀，且石灰石粉替代部分水泥后可降低混凝土的水化温升，由于本申请采用了高活性的粉煤灰微珠，其滚珠效应和微集料效应，增强了混凝土的工作性和密实性，改善其均质性。本申请可采用高含泥量机制砂代替天然河砂，制备的早强高抗渗衬砌混凝土的工作性能、力学性能、体积稳定性能及抗裂性能优异。
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本发明公开了一种基于光电耦合忆阻器的人工突触器件及其调制方法,该人工突触器件包括上电极、下电极以及位于上、下电极之间的功能材料层，上电极、功能层材料及下电极共同形成三明治结构；其中，功能材料层由具有光电导效应的材料制成，下电极为透明导电电极；电信号通过上电极、下电极输入，光信号则通过透明导电电极输入；本发明提供的这种人工突触器件在电信号之外引入光作为另一端调控信号，将二端人工突触器件的调控端扩至三端；添加的这一端使得人工突触器件可在外界光学激励信号下发生阻值变化，通过对光学激励信号强度、频率及光脉冲时间的选择调控，能够将该人工突触器件配置到相应的多个阻态，相应实现多种突触可塑性功能。
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本发明公开了一种频率可调的太赫兹波超材料调制器，包括周期排列的单元器件，每一个单元器件包括衬底、位于衬底上的功能材料层以及位于功能材料层上的金属谐振单元；当功能材料层从绝缘相变成金属相，功能材料层的电导率呈指数倍增加使得金属谐振单元的中间开口电容的面积增加，金属谐振单元的谐振频率随着电容的增大而变小实现了对单元器件的频率调谐。本发明采用在太赫兹波段低传输损耗衬底上制作周期排列的金属开口谐振单元、利用金属绝缘相变材料相变前后的电导率变化改变谐振单元开口电容的面积，实现了谐振频率可以调谐的太赫兹波超材料调制器，达到了在太赫兹波段对某一频率处的电磁传输特性进行主动性控制，获得大的开关比或高调制深度。
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本发明属于信息存储器件领域，提供了一种短时与长时存储器件及存储方法；该存储器件包括第一电极层、功能材料层和第二电极层；第一电极层的材料为惰性导电金属，第二电极层的材料为活泼导电金属，功能材料层的材料为硫系化合物；在单个第一写信号或多个具有第一间隔时间的第一写脉冲作用下，存储器件从高阻态转换到易失性低阻态，存储信息能维持一段较短时间；在单个第二写脉冲或多个具有第二间隔时间的第一写脉冲作用下，存储器件从高阻态或易失性低阻态切换到非易失性低阻态，存储信息能维持很长一段时间。可以实现生物短时记忆和长时记忆的功能模拟，将重要数据长期稳定存储，将不重要数据主动遗忘删除，从功能上提高存储效率。
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公开一种显示面板，包括阵列基板、设于阵列基板上的发光层、设于发光层上的彩色滤光层以及设于彩色滤光层上的功能材料层，发光层包括颜色各异的第一子像素、第二子像素以及第三子像素，彩色滤光层包括与第一子像素对应的第一色阻、与第二子像素对应的第二色阻、与第三子像素对应的第三色阻，以及将第一色阻、第二色阻、第三色阻间隔开的黑矩阵，彩色滤光层与功能材料层之间的折射率差值大于或等于‑1且小于或等于0.5。本发明实施例的彩色滤光层不仅具有良好的光学参数，能够降低显示面板的反射率，还能直接形成于具有发光层的阵列基板上，能够减薄显示面板厚度和不对发光层造成损伤。
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