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本发明提供一种负公差轧制棒线材的方法。采用该方法轧制提高冷飞剪定尺率，提高剪切精度，提高了成品质量。本发明通过以下技术方案实现。
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发明的目的在于提供一种两步化学气相沉积法制备石墨烯的方法，该方法采用聚合物固态碳源，常压下通过两步化学气相沉积法在铜基底上生长高质量石墨烯的方法，铜基底包括铜粉或铜箔等任意形状的纯铜制品。
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本发明提供一种通过低共熔型离子液体制备四氧化三钴材料的方法。与传统水体系相比，离子液体完全由阴阳离子构成，无质子干扰，其独特的氢键有序结构和软模板效应，在纳米功能材料的制备中起到了重要作用。本发明利用低共熔型离子液体的性质特点，通过使用低共熔型离子液体一步电沉积+煅烧法即可得到四氧化三钴产品，且电镀液体系能多次重复使用。在制备过程中无污染物产生，绿色环保。
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