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本发明公开了一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法。本发明通过拆分特性测试的失效结构生成多个虚拟缺陷,并合成检测缺陷结果的方法,实现了自动自动扫描电子显微镜对失效位置的寻找确认和分析。本发明可以避免对硅片的破坏性分析,提高分析效率和成功率,同时实现对检测程序的实时反馈,提高程序优化的效率和准确率。本发明适用于半导体工艺中BEOL测试芯片在线失效分析方法。
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本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统，该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座，且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中，芯片载台，用于承载被测芯片；比较模块，与可调电阻模块连接，用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节，以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰，改善EBAC的成像效果，使得在对被测芯片进行失效分析时，可以快速且准确地定位失效点。
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一种水汽系统测氢电导率用树脂失效点分析方法，将一个可以沿树脂装填方向等间隔取样的离子交换柱接入氢电导率测试回路；配制与现场运行水中离子浓度相当的溶液或氨溶液，检测实验柱出口电导率DDc、标准氢电导测量装置出口电导率DDs及离子交换柱某取样口电导率DDq；根据DDc、DDs随ξ变化曲线确定离子交换柱树脂开始穿透时阳树脂的失效率ξ0和穿透至DDc出现极小值点时阳树脂的失效率ξ1。一种火力发电厂水汽系统测氢电导率用树脂失效点分析装置，将试验用水连接至离子交换柱和标准氢电导测量装置上部进水口；在离子交换柱出口设置在线电导率表，离子交换柱各取样口设置可移动式电导率表；试验用水和离子交换柱、在线电导率表以及标准氢电导测量装置分别构成氢电导率测试回路。
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本发明提供了一种半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法，通过晶圆键合结构的顶部的测试焊盘和外接焊盘对至少位于所述晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的每个晶圆均进行电性测试，以检测出失效的晶圆；以及，对所述失效的晶圆进行失效分析，以定位出晶圆键合结构中的失效的晶圆中的失效点，使得至少能够测试出晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的晶圆是否失效以及测试出失效的晶圆中的失效点，进而使得能够快速且准确的定位多片晶圆键合的结构中的失效晶圆以及失效点，提高了失效分析的效率和成功率。
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本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。
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本发明公开了一种基于振动疲劳理论分析惯性测量系统失效模式的方法：首先利用惯性器件工作时内部存在的振动源，通过对其振动频谱的检测，获得振动能量传递的全频谱信息，结合内部各组成的结构模态，可以观测惯性器件内部各组成的工作微观状态，准确诊断惯性器件各组成的故障发生点。本发明表征直观，操作简单，检测精度高，有效实现惯性器件整机级故障预估和定位。本发明适用于任何含有振动激励的系统失效模式的评估。
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本发明公开的是一种基于流固耦合分析的冲蚀破坏失效定量预测方法,包括腐蚀产物保护膜特性分析和流体作用下失效预测分析两个过程;根据管道实际工况,运用流体力学相似理论,确定试验测试的管件规格、试验工况及流体介质,应用电化学测试方法进行冲蚀破坏的瞬态特性测试;建立流固耦合模型,初步设定腐蚀产物保护膜特性参数值,应用有限元分析软件进行流固耦合仿真计算,结合试验研究,修正腐蚀产物保护膜特性参数值;针对实际管道系统典型管件进行流固耦合仿真计算,实现管道系统冲蚀破坏失效定量预测,可科学、准确地预测出整个管道系统失效危险点,为压力管道系统的安全保障技术提供理论支撑。
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本发明公开了一种用于物理失效分析的改进型可寻址测试芯片,包括测试单元、周围地址译码电路、信号选择电路以及用于物理失效分析的PAD阵列。本发明还公开了一种用于物理失效分析的改进型可寻址测试芯片的制作方法,包括如下步骤:(1)测试单元版图设计;(2)信号选择电路设计;(3)周围地址译码电路设计;(4)用于物理失效分析的PAD阵列设计;(5)测试芯片整合;(6)测试芯片生产;(7)测试芯片测量。本发明测试芯片通过采用类似记忆体芯片的周围译码电路,并引入用于物理失效分析的PAD阵列,提高了芯片的面积利用率,既可以进行电学失效分析,也可以进行物理失效分析。
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本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法,所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件,以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件,避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图偏差,达到准确定位栅氧化层的失效位置的目的。
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本发明提供一种失效分析结构的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一导电插塞及第二金属层，所述第二金属层通过第一导电插塞与第一金属层依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层通过第二导电插塞与第二金属层相连。本发明还提供一种失效分析结构及其失效分析方法。本发明失效分析结构和失效分析方法仅需要暴露出测试金属层，不会损害第二金属层，提高失效分析结果的准确性。
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本申请公开了一种芯片的地址测试方法及芯片的失效分析方法。该芯片包括沿字线和位线的方向排列的多个比特位，该方法包括：对芯片中的部分比特位进行标记以形成标记点，并获得标记点的电性地址和物理地址；对芯片进行失效测试以获得芯片中双比特位失效点的电性地址，双比特位失效点由在字线或位线的方向上相连的两个失效的比特位组成，并将双比特位失效点中两个比特位的电性地址的差值的绝对值作为双比特位失效点的电性地址差值；根据双比特位失效点的电性地址差值获取芯片中各比特位的电性地址的排列范围；将芯片中各比特位的电性地址的排列范围与标记点的电性地址进行对照。该方法能够准确分析出芯片中物理地址和电性地址的对应关系。
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本发明提供一种复合材料结构失效预测分析方法，结合湿热应变的影响，建立了表述各向异性复合材料在湿热环境影响下的应力应变关系的本构方程。同时，结合渐近损伤分析方法，在应力分析模型、失效准则和材料退化模型三个方面均引入了湿热效应对于材料刚度和强度等参数的影响，并编译了UMAT子程序并打包嵌入到有限元软件中，最终建立了可用于湿热环境下复合材料失效分析的更为完善的渐进损伤模型。本发明与现有的各类复合材料结构失效渐近损伤分析方法相比，考虑了湿热效应对于各向异性复合材料失效行为的影响，能够准确的表征材料在湿热环境下的损伤过程，适用于温度和湿度等条件更加复杂的情况下复合材料结构损伤过程的模拟和强度的预测。
本发明公开了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，本发明开发了一种基于胶粘剂化学特性分析的粘接结构失效准则的预测方法，通过对不同粘接角度的粘接试件进行人工加速老化处理，通过拉伸破坏试验得到不同老化周期的粘接结构的失效应力相关数据，通过有限元建模分析结合等效应力关系式建立失效准则，对不同老化周期的胶粘剂进行的化学特性分析得到化学特性变化规律，计算筛选出与粘接结构失效准则处于最佳重合状态的化学特性及其组合形式，应用典型相关分析方法，最终获得通过分析胶粘剂化学特性就能得到粘接结构失效准则的预测方法。
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本发明涉及光通信领域,本发明公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的装置,包括处理器CPU、存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口,所述处理器CPU分别与所述存储器、光模块状态采集单元、光模块通讯接口连接;所述处理器CPU用于根据光模块的寿命参数和运行参数进行判断,并以判断结果为依据预测出光模块的寿命;所述存储器用于保存光模块的寿命参数和运行参数;所述光模块状态采集单元用于采集光模块的运行参数;所述光模块通讯接口用于与外部管理端的通讯。本发明还公开了一种支持光器件寿命预测和失效原因分析的方法,处理器CPU根据光模块的寿命参数和运行参数,计算出光模块当前所处的寿命阶段,作为是否需要更换光模块的依据,有效预测出光模块的寿命,同时存储的光模块运行参数可作失效原因的统计分析使用。
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本发明提出一种用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统，能够使半导体激光器腔面失效分析更为准确、可靠，具有产业实际意义。该综合测试系统特别包括分光组件、温度控制模块和多种光特性测试模块，温度控制模块用于调节待测半导体激光器的温度，所述多种光特性测试模块包括近场分布测试模块、远场分布测试模块、功率测试模块和光谱成像模块，分光组件将待测半导体激光器输出的光分出多路用以设置不同的光特性测试模块；计算机接收处理所述温度测试模块和多种光特性测试模块输出的测试数据，并与温度测试模块、温度控制模块和多种光特性测试模块连接。
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本发明属于海洋工程设计领域，公开了一种用于预测复合材料柔性管失效荷载的随机分析方法，包括：建立深海复合材料柔性管的三维力学分析模型，并获取生产参数的随机范围，同时生成各生产参数的随机样本，将随机样本数与ABAQUS软件计算模型相结合，根据Hashin–Yeh失效准则与复合材料渐进损伤失效系数对复合材料柔性管的失效荷载进行随机分析。系统包括：随机样本生成模块；强度参数及弹性常数评估模块；应力分析模块；复合材料柔性管损伤失效分析模块。本发明基于Monte‑Carlo方法结合ABAQUS有限元分析提出了针对深水复合材料柔性管损伤失效的随机分析方法，可以更准确的预测柔性管损伤失效载荷。
本发明涉及一种基于渐进损伤模型的全C/SiC复合材料多钉连接结构失效分析方法，包括以下步骤：(1)在C/SiC复合材料力学性能测试的基础上建立材料的双线性本构模型；(2)根据C/SiC复合材料多钉连接结构几何参数，建立复合材料结构三维有限元模型；(3)基于复合材料结构三维有限元模型进行应力分析；(4)应用适用于C/SiC复合材料的失效准则预测复合材料的失效状态；(5)对失效的材料按照退化模型进行材料刚度退化；(6)判断复合材料结构中的损伤是否导致结构发生破坏，若结构未失效刚继续加载直到材料失效。本发明适用于工程应用，可以有效分析和预测全C/SiC复合材料多钉连接结构的失效，能够显著降低试验成本，为工程实践提供参考。
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本实用新型提供了一种锂离子电池的失效分析测试装置，包括重新叠片的失效电芯极片主体、参比电级外接极耳、第一失效电芯正极外接极耳、第一失效电芯负极外接极耳、第二失效电芯正极外接极耳、第二失效电芯负极外接极耳，所述参比电级外接极耳、第一失效电芯正极外接极耳、第一失效电芯负极外接极耳、第二失效电芯正极外接极耳、第二失效电芯负极外接极耳设置在失效电芯极片主体的四周。本实用新型所述的一种锂离子电池的失效分析测试装置，节省制样时间、操作简单、制样一致性高，提高了实验的可靠性和准确性，从而节省了时间成本和人工成本。
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本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
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本发明提供了一种用于飞机测试的舱门失效特性分析方法，属于飞机测试技术领域。方法包括以下步骤：S1、构建舱门几何分析模型；S2、提取舱门功能/性能因素参数；S3、构建舱门动力学分析模型；S4、分析舱门功能/性能随时间的变化规律；S5、分析舱门失效演变过程。本发明解决了现有技术缺乏对飞机舱门在复杂气候环境下失效演变过程的研究分析的问题，具有为飞机舱门设计改进提供支撑，提高飞机的安全性和环境适应性的优点。
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本发明提供了一种电性失效分析的测试方法，包括：提供电性失效分析中各测试项的测试项函数；根据电性失效分析的测试需求，确定电性失效分析的测试项，基于测试项形成测试项关联数据，测试项关联数据与对应的测试项函数关联；提供对应测试需求的测试文件，测试文件包括关联于测试项的测试项关联数据及对应的测试参数；运行测试文件，获取测试结果；根据测试结果和测试需求，在需修改测试文件时，调整所述测试参数。本发明还提供了一种电性失效分析的测试装置。本发明提供的技术方案无需了解测试程序即可修改测试参数并且无需反复加载和编译测试程序即可灵活改变测试流。
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本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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本发明公开了一种测试结构失效分析方法，第一次是通过测试垫进行电性测量缩小分析范围，第二次是通过衬垫及VC分析进一步缩小分析范围，再将缩小范围后的样品去层处理到需要观察的层次，就可以用VC观测到测试结构断点位置。采用本发明能够提高失效分析的成功率。
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本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+(m‑1)个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结构连接到外围电路的引线端引到样品表面，提高研磨效率和研磨成功率，从而满足最初始的电性分析，提高失效分析成功率和分析效率。
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本发明提出一种存储单元失效分析的测试方法,包括:定义内存区域,所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应;对存储单元进行可调数值范围内的加压,测量得到各存储单元的阈值电压,并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置,直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到;读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息,生成数据文件;对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息,同时能计算出整个存储芯片阈值电压分布的信息。本发明能很精确地进行阈值电压失效点的定位,提高了测试效率。
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本申请公开了一种确定GaN cascode器件失效位置的测试分析方法，属于半导体芯片的可靠性测试领域。技术要点是：对器件的栅极漏电水平Igss进行测量；对器件在关态低漏级电压下的漏级漏电水平Idss@LV进行测量；对器件在关态高漏级电压下的漏电水平Idss@HV进行测量；通过测试结果分析对照表可以确定器件内部的失效位置，同时明确器件失效的原理和模型。有益效果：本发明所述的确定GaN cascode器件失效位置的测试分析方法将传统测试的繁琐流程简化为三步，且无需解封步骤，在保证测试分析结果准确性同时能快速准确地得出器件的失效位置和原理。
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本发明公开了一种可靠性测试板及基于该可靠性测试板进行的PCB板孔间CAF失效分析方法，所述方法包括以下步骤：提供一种可靠性测试板，并通过分半测试法在可靠性测试板上确定发生CAF的两个相邻的失效孔的位置；对可靠性测试板上发生CAF的两个失效孔及其邻近区域进行水平研磨，直至导电阳极丝出现在研磨剖面上；垂直于所述可靠性测试板所在平面，并沿所述导电阳极丝对两个失效孔及其邻近区域进行切片，观察孔壁的质量及表观，依此分析CAF形成的原因。通过所述方法，可给CAF的改善措施的制定提供有力的依据，从而有利于CAF的改善。
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本实用新型公开了一种高探测EOS异常失效分析系统，包括AC电源、电源EMI滤波器、示波器，所述电源EMI滤波器通过测试线与AC电源连接，所述电源EMI滤波器与示波器连接，所述电源EMI滤波器与示波器之间设有欧姆电阻线，使用高探测EOS异常的失效分析系统可以对通电后的生产整个流程中的ESD异常现象进行分析，查找出生产状态时的异常点，更能找到根本原因并实现预防解决问题。
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本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记，包括：提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记；将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况，节省了操作时间，可靠性高，并且在SEM中能够达到30nm的精度，能够满足实际需求。
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本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和/或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
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