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本发明提供了一种芯片固定装置及制备失效分析样品的方法，通过将芯片样品贴附于芯片固定装置上，通过固定芯片样品提供化学研磨过程中需要的反摩擦力和反离心力，实现自动化学研磨，从而实现批量自动制备失效分析样品，提高了失效分析样品预处理的效率，提高了失效分析样品制备的成功率，同时节省了人力资源；同时，在压力调节装置中设置有弹簧，通过调节阀调节弹簧的松紧，从而调节施加在化学研磨平台上的压力，实现化学研磨速度的调节，提高了化学研磨的效率。
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本公开实施例公开了一种物理失效分析样品及其制备方法，所述方法包括：提供待分析结构；其中，所述待分析结构包括相对设置的第一表面和第二表面，失效区域位于所述第一表面和所述第二表面之间；在所述待分析结构的第一表面形成凹槽；其中，所述凹槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁覆盖所述失效区域；在所述第一侧壁与所述失效区域之间的相对距离小于预设距离时，轰击所述第二侧壁的组成粒子；其中，被轰击的至少部分所述组成粒子溅射至所述第一侧壁，形成覆盖所述失效区域的第一保护层。
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本申请提供一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。该用于半导体晶粒测试的封装管壳包括：壳体和连接引脚；其中，壳体用于将半导体晶粒收容在其内；壳体包括对应半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚用于与收容在壳体内的半导体晶粒形成连接，在封装管壳通过连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过第一观测窗定位半导体晶粒正面的热点；在封装管壳通过连接引脚在第二方向上插设在插槽中进行测试时，通过第二观测窗定位半导体晶粒反面的热点。该封装管壳能够使定位半导体晶粒正反面的热点的过程较为简单，耗时较短，有效缩短了产品的测试周期，提高了产品的测试成功率。
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本发明特别涉及一种橡胶材料的失效分析方法，属于失效分析技术领域，通过扫描电子显微镜分析、溶胀指数分析、红外光谱分析和GC‑MS分析等一系列定性和定量的材料失效分析手段的协同组合，形成一种拓扑分析的失效分析方法，采用多步骤组合、递进，准确找到汽车用减震橡胶件的橡胶材料破损的失效原因，可对各类橡胶材料分析失效原因，不受橡胶材料的限制，逻辑清晰，大幅缩短失效试验的人力、物力投入，提升质量整改效率。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。所述三维存储器的失效分析方法包括如下步骤：提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。本发明提高了三维存储器在失效分析过程中热点定位的准确度和定位的效率，确保了三维存储器失效分析结果的可靠性。
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本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法，首先在一个预设电压的条件下筛选出具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构，然后对该具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构进行操作，先研磨掉金属互连层，然后用扫描电镜电压对比方法确定栅氧化层缺陷位置，再依次去除互连线、介电层和栅极，并在剩下的栅氧化层上沉积一层与栅氧化层透射电镜衬度对比度较大的衬度对比层，在有问题的栅极区域进行透射电镜样品制备，最后通过透射电镜来进行分析。通过该方法可以清晰的观察栅氧化层缺陷原貌，为查找栅氧化层制程工艺缺陷提供有力的依据和方向。
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本发明涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下，在芯片周围粘接垫脚用作保护，通过研磨的方式去掉热沉，持续研磨去除衬底处金层，至芯片衬底完全露出，适用于多种封装形式的半导体激光器芯片，也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片，该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样，无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护，可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上，便于加电测试。采用的可清洗粘接剂，样品可取出，利于后续其他分析。
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本发明提供了一种封装器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层的封装器件，封装基体层中的每条导电线路与对应的外接测试点电性连接，芯片主体层中的每个焊盘与对应的导电线路电性连接；获取每个焊盘通过对应的导电线路与对应的外接测试点之间的电性连接关系；通过外接测试点对芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的电性连接关系；以及，根据电性测试出现异常的电性连接关系，抓取芯片主体层中的热点，并在芯片主体层的顶表面标记热点的位置。本发明的技术方案使得能够在无损的条件下快速且准确地找到热点的位置，进而使得能够对芯片主体层进行快速且有效的失效分析。
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本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
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本发明公开了感温包的失效检测装置、失效检测方法及空调，失效检测装置包括：监测感温包的测量温度的下位机、根据下位机上传的数据判断感温包是否合格的上位机。空调启动后，若在预设时间内测量温度变化的绝对值未超过预设值，则上位机判断感温包不合格；若在预设时间内测量温度变化的绝对值超过预设值，则上位机判断感温包合格。本发明自动化程度高，有效提高检测效率，提升产品质量。
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本发明提供了一种半导体器件失效分析方法，包括如下步骤：暴露出半导体器件的测试区域，所述测试区域包括多个测试点；选择多个所述测试点中的至少一个所述测试点作为输入端；形成与所述输入端电性连接的输入结构；在所述输入结构上施加测试信号；使用电性测试探针扫描测试除施加了测试信号的所述输入端之外的其他所述测试点。本发明通过引入一种新的半导体器件失效分析方法，在使用导电原子力显微镜等电性探针测试方法对半导体器件进行测试分析时，形成与测试点电性连接的输入结构，通过输入结构准确地对测试点施加偏压，并通过多个输入结构有效地缩减了失效分析所需的人力和时间成本。
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本发明提供一触器失效检测方法和接触器失效检测系统，其中所述接触器失效检测系统包括一检测电路、一检测模块以及一控制模块，所述检测电路电气连接于所述电池模块和所述接触器，以形成一检测回路，其中所述检测模块被电气连接于所述检测电路，由所述检测模块检测流经所述接触器的电流和对应所述接触器的分压，以得到所述接触器的接触电阻的阻值，其中所述控制模块被电气连接于所述检测电路和所述检测模块，所述检测模块根据所述检测模块检测的数据信息计算所述接触器的温升，并根据所述接触器的实时温度判断所述接触器的有效性。
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本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。
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公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方，将所述目标焊盘电连接至所述空白焊盘上后，所述目标焊盘与所述空白焊盘之间实现电交流。该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。
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本申请公开了一种堆叠封装结构的失效分析方法及结构，所述堆叠封装结构包括堆叠且粘接在一起的多个裸片，所述多个裸片各自包括裸露的焊盘。所述失效分析方法包括：对所述堆叠封装结构进行电测量，以确认故障裸片；采用探针标记所述故障裸片的焊盘；将所述堆叠封装结构的多个裸片彼此分离；以及对已经标记的所述故障裸片进行失效分析。该失效分析方法从堆叠封装结构中定位和标记故障裸片，在堆叠封装结构的多个裸片分离之后能够快速的找到故障裸片，进一步定位故障裸片的内部位置，因而不仅降低了测试成本，而且提高了效率。
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本发明公开了一种失效模式分析知识管理系统,包括知识库和检索-推理模块。所述知识库用于预设与产品质量特性关联的失效模式分析信息和与所述失效模式分析信息对应的预防措施信息。所述检索-推理模块用于接收客户端系统发送的失效模式分析知识检索-推理请求,并根据所述检索-推理请求对所述知识库的失效模式分析信息和预防措施信息进行检索和推理,获取所述检索和推理的反馈结果,并将所述反馈结果发送给所述客户端系统。本发明失效模式分析知识管理系统实现了失效模式分析知识的及时传递,也能为相关人员提供决策支持。本发明同时公开了一种失效模式分析知识管理方法。
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本发明涉及半导体器件检测领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析方法。在该半导体器件失效分析方法中，将插销和金属层间的介电质层全部刻蚀掉，再观测插销与金属层间连接部分，观测其中异常情况，找到导致产品失效的根源，方便实用。
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本申请实施例公开了一种车道保持功能失效分析方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：检测车道保持功能的失效场景；当失效场景为车辆在高速路出口且车道保持功能异常时，对车道线进行识别，并得到对车道线的识别类别；当车道线的识别类别为误识别时，分析车辆经过高速路出口时，路面状况对车辆行驶的影响类型以及影响严重程度级别；对于其它的失效场景，分析车道保持功能异常的原因类型。本申请实施例能够根据检测到的数据自动化分析车道保持功能异常时，路面状况对车辆的影响以及严重程度级别，以及分析车道保持功能异常发生的原因，相比原始的主观判断和手动分析，节约了大量时间，且分析结果更加准确。
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本申请一种闪存芯片位线间漏电失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域，通过采用非破坏性分析工艺，将FIB切分工艺和奈米级探针量测工艺相结合，在完全不破坏前端工艺所有材料的状况下，直接定位出失效的栓塞处，且其可检测位于栓塞不同位置的桥连(如位于栓塞顶部、中间或其他任何位置处的桥连)，并能够获得较好的TEM样品，以便于后续TEM的精准观测，即在有效提高失效分析的可靠性的同时，还能大大降低失效分析所花费的时间及工艺成本等。
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本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析,每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连,所述方法包括以下步骤:去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层,暴露出所述金属位线;通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线,逐段切割其中的一条金属位线,使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断;去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线,形成检测样片;对所述检测样片进行电势对比成像观测,确定所述短路金属位线的具体失效位置。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,包括以下步骤:通过机械研磨去除待分析芯片的互连金属层和位线层的大部分;通过机械研磨去除待分析芯片的衬底的大部分;通过湿法刻蚀完全去除待分析芯片的残存的衬底;通过干法刻蚀去除待分析芯片位线接触窗底部的介质层的大部分,保留一薄层的介质层;对待分析芯片的位线接触窗的顶部进行检测,确定位线失效的具体位置。本发明方法可使待分析芯片充分减薄,可直接通过电子显微镜进行观测确定其位线短路失效的具体位置,大大提高了工作效率,节省了时间成本。
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本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。
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本发明实施例公开了一种待失效分析样品的制备方法，所述方法包括：提供封装结构，所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂；所述芯片堆叠结构包括基板，堆叠设置在所述基板上方的多个芯片，及用于使所述多个芯片之间，和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线；所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构，所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方；对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，以切断所述多条导电线，得到所述待失效分析样品。
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本发明提供一种失效分析样品的制备方法及失效分析样品，制备方法包括如下步骤：提供待分析的堆叠封装体，堆叠封装体中设置有多个堆叠的裸片，每一裸片具有设置焊垫的正面及与正面相对的背面，裸片的背面与其相邻的裸片的正面接触，所述裸片的焊垫与其相邻的裸片的焊垫电连接；去除目标裸片背面的其他裸片，至暴露出与所述目标裸片相邻的裸片的焊垫时停止；将暴露的焊垫电学引出，形成用于失效分析的样品。本发明优点是，对目标裸片背面进行去除操作，且利用非目标裸片焊垫作为电连接处，从而避免对目标裸片具有电路器件的正面进行去除操作，保护了正面的电路器件，能够制备出完整无损伤的目标裸片，大大提高了制样成功率，大大降低了制样难度。
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本公开实施例公开了一种失效分析样品的制作方法。所述方法包括：提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。
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2025年12月26日 ~ 28日 
