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本发明的一种电涌保护器防雷器件失效分析的装置,包括:一整流滤波电路;一DC/DC变换器;一DC/AC变换器,用于将来自所述DC/DC变换器的直流电压进行变换,变成预定频率的交流电压;一限流电路,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中;一电流采样,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中,用于将流过电涌保护器的电流转换成电压信号;一电流放大电路,用于将来自所述电路采样的电流信号进行放大,送给所述DC/DC变换器,以保证流过电涌保护器的电流不变。本发明装置由于采用了先进闭环控制技术,达到了实时调节流过SPD的电流的效果,使设备的成本大大降低,同时提高了测试的准确度。
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本发明提供了一种封装器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层的封装器件，封装基体层中的每条导电线路与对应的外接测试点电性连接，芯片主体层中的每个焊盘与对应的导电线路电性连接；获取每个焊盘通过对应的导电线路与对应的外接测试点之间的电性连接关系；通过外接测试点对芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的电性连接关系；以及，根据电性测试出现异常的电性连接关系，抓取芯片主体层中的热点，并在芯片主体层的顶表面标记热点的位置。本发明的技术方案使得能够在无损的条件下快速且准确地找到热点的位置，进而使得能够对芯片主体层进行快速且有效的失效分析。
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本实用新型提出一种用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品的制样装置，包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯，待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品，将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上，所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子，随后将所述金属垫片移送至所述加热台，所述加热台对所述芯片样品进行加热，所述UV灯对所述芯片样品进行照射，所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。本实用新型提供的制样装置操作简单，制样完整精确，能有效地保证芯片失效分析结果的准确性，提高测试分析结果的精确度。
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本发明公开了一种快速有效进行系统硬盘失效分析及修复的方法，属于计算机技术领域，本发明要解决的技术问题为如何通过异常后检查或者SMART?check?后检查硬盘健康状态以及如何根据SMART?结果进行对应的操作后，判断失效是否为真正的失效，并对子系统进行修复。技术方案为：步骤如下：（1）Linux下查看硬盘是否支持SMART；（2）根据步骤（1）的结果，如果支持，直接执行步骤（4）；如果不支持SMART,通过指令：smartctl?--smart=on--offlineauto=on--saveauto=on/dev/sdxx。
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本申请提供了一种制备失效分析样品的方法。该方法包括：步骤S1.提供样品，该样品的待测表面分为第一表面区域和第二表面区域；步骤S2.利用油性物质将第一表面区域覆盖；步骤S3.在第二表面区域设置多个通孔，通孔延伸至样品的基底表面；步骤S4.在待测表面和通孔中设置金属；以及步骤S5.去除油性物质。本申请提供的方法通过在去除覆盖在第一表面区域的油性物质时同时去除附着在其上的金属，从而使第一表面区域的样品表面裸露；而第一表面区域在受到轰击时产生二次电子，与二次电子对应的正电荷被位于其周围的金属导出，由此产生的二次电子成像能够反映该处的原始表面形貌。
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本发明公开了一种纤维增强热塑性塑料复合管失效分析方法，通过模拟实际生产、运输、安装施工以及服役等过程可能出现的失效原因来判断纤维增强热塑性塑料复合管的失效模式，利用纤维增强热塑性塑料复合管在不同程度的损伤下进行短时水压失效试验的失效形貌及相关爆破数据以及模拟纤维增强热塑性塑料复合管在服役环境条件下的性能，来判断该类复合管失效原因；本发明预测方法简单，便于实施，能快速准确地判断出纤维增强热塑性塑料复合管的失效原因，及时对油气田事故原因进行判定与处理，并防止类似失效情况再次发生。
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本发明涉及界面物质属性传递计算领域，特别公开了一种滤及元素扩散的涂层失效分析方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收元素扩散边界条件；所述元素扩散边界条件包括扩散系数、边界浓度、温度及热暴露时间；根据所述元素扩散边界条件，确定目标元素浓度；根据所述目标元素浓度，通过预存的耦合元素浓度的界面强度退化函数，确定目标结合强度；将所述目标结合强度输入受试热障涂层的有限元模型中，使所述有限元模型根据所述目标结合强度及预设的边界条件输出对应的损伤参量。本发明通过所述元素扩散边界条件对所述目标元素浓度进行实时计算，为长时高温服役环境下的涂层的界面强度评估提供更精准的预测，提高涂层失效分析的准确率。
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本发明公开了一种用于低压断路器振动激励失效的力学分析方法，其包括如下步骤：a)建立低压断路器的力学特性模型，包括如下操作步骤：①对振动激励下的低压断路器进行力学分析；②对经过步骤①力学分析后的低压断路器进行数学建模；③对建立的低压断路器的数学模型确定边界条件；b)分析低压断路器在振动激励下的响应特性。本发明首次提供了一种用于低压断路器振动激励失效的力学分析方法，通过建立低压断路器的数学模型、研究振动激励与低压断路器之间的力学关系，从而可掌握振动激励对低压断路器力学性能的影响，进而统计在外部环境和自身内部振动激励的影响下低压断路器的失效特性，为变载荷下载运工具的可靠性测试提供理论依据。
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本发明公开了一种焊点失效的仿真分析方法，其包括如下步骤：S1，对带有焊点的实际样件进行拉伸试验，得到实际失效数据；S2，根据实际样件建立焊点仿真分析模型，焊点尺寸和位置根据实际样件上焊点状态设置，标定焊点的热响应区的材料属性曲线，焊点的热响应区的材料属性曲线为在实际样件的基础上缩放强度曲线和断裂曲线，缩放系数为0.9~1.1；S3，进行仿真失效模拟，得到模拟失效数据，与实际失效数据进行一致性对比，若一致，则执行S4，若不一致，则调整缩放系数重新进行仿真失效；S4，将得到的焊点材料参数输入整车模型，进行整车分析。其能够对零部件的焊点区域进行精确仿真，对焊点的失效进行精确的预测，便于在设计阶段对设计区域进行设计变更。
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本发明公开了一种评估系统单粒子功能失效率的传播分析方法，所述方法通过对电路系统进行模块划分、从单粒子软错误传播的角度，分析单粒子软错误从产生到传播至输出端的概率，最终获得系统的单粒子功能失效率。本发明方法不需要进行重离子试验就可以成功的预测用于太空环境中的电路系统的单粒子功能失效率，为太空环境中设备的选用提供了良好的判断依据，避免出现设备在地面使用良好，而一旦到达太空环境就发生严重的单粒子功能失效现象出现，并且分析结果可以作为对系统和模块做抗辐射加固的依据。
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本实用新型公开了一种失效分析系统，其测试夹具包括底板、载板及夹板，载板为分层结构，贯穿载板设有均匀布置的垂直通孔，贯穿每层载板的两相对侧面设置有一层水平通孔，垂直通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括金属薄片及第一金属探针，第一金属探针套设有弹性部件，还包括第二金属探针，且弹性部件固定于垂直通孔之内壁处，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且第一金属探针与第二金属探针电性连接；测试机台，测试机可选择地与第二金属探针电性连接，并输出测试信号。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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一种互连结构失效分析样品的制作方法,包括:对样品横截面进行物理溅射工艺;通过电子显微镜对所述样品进行测试。本发明有利于失效分析对工艺参数的准确表征。
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本发明公开了一种承压设备的定量风险分析中的失效可能性评价方法，采用错边和角变形缺陷参数修正定量风险分析RBI中的失效可能性；所述失效可能性F的计算方法为：F=FG×(FE+FD)×FM，其中，FG为同类设备平均失效概率，FD为错边和角变形缺陷修正系数，FE为设备修正系数，FM管理修正系数。本发明引入了错边和角变形缺陷修正因子，避免了API581标准中未考虑错边和角变形缺陷的局限，使得含有错边和角变形缺陷的承压设备在风险分析过程中的计算结果更加精确。该发明在基于风险的检验的基础上，通过对缺陷尺寸的确定，方便快捷地得到与之对应的修正因子数。
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本发明提供了一种失效分析样品的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一待分析样品，所述待分析样品的一截面设置有集成电路，所述集成电路中设有一凹槽，且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层；步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖；步骤S3、对所述待分析样品进行研磨，并对所述集成电路进行观测和分析。本发明以去除保护层时保证了良好的均匀性，样品的制备过程简单快速，且成本极低，该样品可以顺利地进行后续失效分析，同时提高了观测效率及准确率，为提高产品良率提供依据。
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本发明涉及智能电能表可靠性改善技术领域，具体涉及一种智能电能表失效分析的方法。本发明系统的对智能电能表的元器件的结构、材料、供需和制作工艺等的失效模式、机理、硬性、严重程度与发生的概率进行评估，通过借助各种测试分析方法和仪器对失效现象进行确认，分辨其失效模式和失效机理，确定其最终失效的原因，从而为智能电能表的改进设计、制造工艺、使用维护提供有效依据、防止失效的重复出现，从而逐步提高智能电能表的可靠性水平。
本发明涉及轮胎计算机仿真设计技术领域，尤其涉及一种轮胎失效点仿真分析方法、应用、设备和计算机程序产品。一种轮胎失效点仿真分析方法，该方法包括以下的步骤：1）利用建模软件和仿真软件对轮胎进行建模，为模型材料分布图进行网格划分，赋予材料属性，施加气压与载荷，进行负荷分析；对模型设定角速度，进行滚动分析；得到该模型所有橡胶材料单元的应力、应变、应变能值；2）利用程序对数据进行运算处理，读取仿真模型数据信息，将模型可视化并提供交互功能供使用者选取所需分析单元，得到轮胎失效评价参数。本发明只需进行虚拟仿真建模运算，相较于实物测试更简便低碳环保。对轮胎产品设计优化改进起到指导作用。
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本发明涉及一种快速识别陶瓷涂层失效类型的声发射信号分析方法。首先采集涂层试验过程中产生的声信号，提取信号特征参数，对声发射信号进行聚类分析，然后选取最靠近各个聚类中心的信号对其进行小波变换，并提取能谱系数作为模式识别的特征参数，根据能量分布识别出涂层损伤类型。最后统计各类损伤的声发射事件数，将所得数据与外加载荷‑位移曲线相结合，得到涂层失效过程的临界载荷及相应的信号频率，全面了解陶瓷涂层在外加载荷作用下的失效过程。本发明为陶瓷涂层的失效机理研究提供了直接的依据，对涂层正常服役的寿命预测具有重大意义。
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本实用新型公开了一种芯片失效分析仪，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
本发明属于航空电气设备及电气工程技术领域，针对多余度设计的机载电气线路互联系统，本发明设计了一种无失效数据条件下的可靠性分析新方法。该方法首先从“先并联、后串联”多余度EWIS多参数的精确寿命分布函数入手，构建了多余度EWIS可靠度计算模型；然后通过“最小最大值”Monte‑Carlo仿真，获取EWIS寿命的抽样值，并综合概率纸检验法和Pearson拟合优度检验法，判断多余度EWIS是否服从威布尔分布；最后，对于无故障历史的EWIS，采用无失效数据可靠性分析方法确定其可靠寿命。
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本发明提供矮墩连拱桥快速拆除的桥墩失效模型的分析方法，属于矮墩连拱桥拆除技术领域，实测矮墩连拱桥结构尺寸参数和材料容重，以矮墩连拱桥的墩柱作为分析对象，桥墩除了自身自重及顶部传递而来的竖向荷载外，仅受到拱肋传递来的推力作用，当桥墩所受推力大于其自身抗剪强度时，桥墩则会整体发生剪切失效。能使矮墩连拱桥整体倒塌，使施工工期大大缩短，降低设备与人工成本，在拱桥结构完好的对称受力状态下对桥墩进行对称、同步切割作业，对于结构受力影响较小，避免施工人员在结构受力不对称的条件下逐跨实施拆除，降低了施工人员的安全风险。
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本实用新型公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、反光镜和透明玻璃组成，反光镜包括两个互成90°角的左反光镜和右反光镜，左反光镜和右反光镜都是镜面朝上地置于外壳中，左反光镜和右反光镜与外壳底面夹角都为45°，透明玻璃覆盖在外壳顶部开口处；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接；反光盒置于显微镜的载物台上，显微镜的物镜位于反光盒上方。该装置只需特制一个反光盒，利用反光盒内反光镜改变光线的方向，不需要背面显微镜镜头，就可以观察到MEMS结构的运动情况，分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。
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本发明公开了一种芯片可持续失效分析方法，包括：1)将对准卡(3)套设于芯片(2)的外部并将所述芯片(2)固定于所述基座(1)；2)将针托架(4)上测试针的一端设置于所述芯片(2)的顶部，接着将缓冲框(5)覆盖所述对准卡(3)的顶部以使得所述测试针、对准卡(3)相接触，然后将所述测试针的另一端通过连接孔(6)固定于所述基座(1)上；3)将缓冲垫(7)分布于所述缓冲框(5)的两侧，接着将固定卡(8)设置于缓冲垫(7)的顶部以使得所述缓冲垫(7)固定于所述基座(1)的顶部。该芯片可持续失效分析方法能够重复地对芯片进行失效分析，同时成本低。
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本申请公开了一种芯片结构的散热层缺陷失效分析方法，基于芯片结构的声学图像和三维图像确定散热层的第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸；基于芯片结构研磨样品的扫描图像确定散热层的第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸；对比所述第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸，确定分析结果。可以在不破坏芯片结构的情况下测算散热层参数及定性失效模式，同时为后续破坏性分析提供数据对比，使得缺陷失效分析的准确性较高。
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本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
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本发明公开了一种基于数据驱动的失效模式及影响分析方法，首先采集失效模式以及其对应风险参数相关的历史数据，将收集到的风险数据进行预处理用于训练数据驱动模型，并选择精度最高的数据驱动模型作为预测模型，紧接着利用训练好的模型对失效模式的发生概率进行预测，最后利用直觉模糊方法对失效模式进行评估，并采用距离算子对失效模式风险进行测度。本发明的方法能够充分利用产品生命周期产生的大量数据，从中挖掘有用风险信息，实现产品失效模式数据驱动评估，节约了不确定性设计的时间成本和经济成本，避免了人力、物力的浪费，提高产品的可靠性，以支持维护企业的规划和操作，最终实现对产品失效模式的识别、预测以及风险评估。
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本发明公开了一种仿真分析低压开关端盖振动冲击失效的方法，所述方法包括如下步骤：a)建立低压开关端盖的有限元模型；b)对步骤a)所建立的有限元模型施加连续瞬态载荷；c)分析求解低压开关端盖的内部应力大小及分布；d)根据分析结果，对低压开关端盖的结构进行优化。通过本发明方法能够得到低压开关端盖在受到连续瞬态冲击载荷下，其内部的应力及分布情况，从而为避免低压开关端盖在振动冲击情况下发生失效进行结构优化和设计提供依据；本发明应用性强，对低压开关的性能监测具有重要价值。
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本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的影响等考虑在内，根据失效存储位单元的功能验证及其相邻存储位单元的电流信息前后比对，确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，还是与其共享字线的同行同列存储位单元和其所在的字线、位线以及IO接口电路等周围环境缺陷引起的失效，并给出其具体失效模式，整个分析过程可自动完成，无需专业人员在场，能节约人力资源与测试机时及提高失效分析效率和结论准确性。
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本发明公开了一种特定位置焊球失效对信号传输影响的实验分析方法。包括：设计高频传输线的尺寸参数；绘制印制电路板；在一块PCB板上正常植球；在另一块PCB板上相应的焊盘位置贴上一条聚酰亚胺阻焊胶带；将两块PCB板焊接在一起；将聚酰亚胺阻焊胶带抽出；在底部PCB板上的预留位置焊接特定连接器，连接矢量网络分析的测试线缆，完成BGA封装的高频测试工作。本发明通过加工特定位置的故障焊球获得实验样本，解决了环境实验导致样本失效的随机性与不确定性的问题，以完成特定位置焊球失效对信号传输影响的分析。
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一种导体失效检测结构以及形成方法和检测方法，所述检测结构包括：基底，所述基底具有核心器件区和外围器件区，所述核心器件区的基底上具有分立的第一金属层和待测金属层，通过待测导电插塞相互连接；所述外围器件区的基底上具有若干重叠排布的测试焊盘和若干加载焊盘并通过贯通介质层内的测试导电插塞和加载导电插塞进行连接；在待测金属层的同一层具有焊盘金属层，所述焊盘金属层通过测试导电插塞和加载导电插塞分别与测试焊盘、加载焊盘连接，所述焊盘金属层通过至少两个顶层导电插塞与第一金属层连接。所述检测结构能够在不破坏标准焊盘结构以及不扩大设计区域面积的情况下，提高电迁移检测的准确性。
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