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本发明公开了智能3D打印服务系统失效模式与影响分析方法，包括：确定潜在失效模式严重度S、频度O和难检度D的权重；确定各潜在失效模式的S、O、D的数值；根据S、O、D的数值和S、O、D的权重，计算潜在失效模式的初始强度值；建立初始强度值‑影响矩阵，矩阵的元素为各潜在失效模式之间的相互影响，根据初始强度值‑影响矩阵计算各潜在失效模式的中心度和原因度。本发明还提供了智能3D打印服务系统失效模式与影响分析系统。本发明可有效提高对失效模式的识别评估效率，降低评估成本，实现智能3D打印服务系统潜在失效模式高效识别。
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本发明公开了一种服务器故障在线诊断、健康分析及失效预报系统及方法，该服务器故障在线诊断、健康分析及失效预报系统包括：监测对象单元、参数监测模块、数据分析模块、参数统计模块、系统辨识模块、结果报告模块。本发明通过对服务器及网络设备等参数进行监测，并作为设备健康度指标，利用一套基于神经网络技术的专家系统辨识服务器、网络设备正常状态下的负载量与健康度的模型，诊断经长期运行后某一负载水平下服务器、网络设备的健康度与期望值是否匹配，从而对服务器突发性崩溃进行预测，做出提前预警，提高系统的稳定性，同时具备开发接口，提供对后期其他设备的接管功能。
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一种铆钉连接区动态失效载荷的分析方法，步骤如下：通过设计狗骨试样，测定金属材料在准静态、动态载荷下的应力‑应变曲线，并转换为有效应力‑应变曲线；给定综合考虑应变强化效应、应变率效应及温度效应的Johnson‑Cook本构模型；建立铆钉连接区细节有限元模型得到铆钉连接区连接件动态拉脱失效载荷和挤压失效载荷
给定铆钉材料的动态极限失效应力，得到铆钉自身的动态极限拉伸载荷
及动态极限剪切载荷
通过
及铆钉削减系数K1，最后得到铆钉连接区动态拉伸失效载荷及动态剪切失效载荷。本发明方法可以极大的缩短研发时间、减少研发费用、保证分析精度及其可靠度，实际工程应用前景广泛。
本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法，所述综合分析方法包括：（Ⅰ）采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位；（Ⅱ）采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断，判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染，还是等离子体诱导损伤；（Ⅲ）如果失效机理模型是杂质污染，则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查；随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析，能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型，以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。
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本发明提出了一种导电黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下失效分析方法，用于我国黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下的失效分析。本发明利用地面环模设备对导电黑色聚酰亚胺薄膜进行其空间环境效应模拟试验，研究其在空间环境作用下的性能退化规律；用表面分析技术对空间环境作用前后的导电黑色聚酰亚胺薄膜进行微观分析，研究其微观结构变化规律；进行导电黑色聚酰亚胺薄膜宏观性能测试与分析；结合理论建立导电黑色聚酰亚胺薄膜空间环境作用下的宏观性能变化与微观结构变化的对应关系，分析其微观结构变化对宏观性能退化的影响，以此为基础判断空间环境作用下导电黑色聚酰亚胺薄膜失效情况。
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本发明公开了一种基于失效面理论的复合材料层合板强度分析方法，涉及复合材料结构失效分析领域，该方法包括：基于三维失效面理论确定材料损伤柔度矩阵的计算公式，从而建立起复合材料力学本构关系；采用失效面上的应力构造失效准则以判断复合材料是否失效及其失效模式，并基于失效面坐标系进行复合材料的刚度退化。通过对有限元软件进行二次开发建立了复合材料层合板的三维有限元模型，仿真模拟了复合材料层合板损伤起始、损伤演化和最终破坏的完整过程。该方法物理机制明确，能较好地预测复合材料层合板的失效载荷与失效模式，在很大程度上提高了复合材料层合板强度分析的预测精度，从而避免进行大量耗时长、成本高的试验测试。
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本发明公开了一种带有提示功能的汽车减震器失效检测及报警系统，包括：位于汽车悬架系统上的主减震器和备用减震器，以及运动感测模块、距离记录模块、温度检测模块、报警模块和控制模块；运动感测模块用于感测汽车是否运动，并在汽车运动时将运动信号传送至距离记录模块，当距离记录模块接收到运动信号时自动清零并开始记录，当距离记录模块连续记录的距离值高于距离阈值时，距离记录模块向控制模块传送开启信号；控制模块在接收到开启信号后，启动温度检测模块检测主减震器外壳的温度，并在温度检测模块所检测的温度值低于预设温度阈值时，控制模块关闭主减震器同时开启备用减震器，而且向报警模块传送开启信号以及时告知车主。
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本发明公开了一种失效分析定位方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。该技术方案的有益效果是：本发明能够减少抓取失效点的时间，以便快速的进行失效分析，提高了失效分析的效率，实现了对芯片上的重复性结构区域中的失效点的快速定位与分析。
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本发明公开了一种半自磨机贝氏体钢衬板失效的分析方法，属于耐磨材料失效分析技术领域，用于对半自磨机衬板的失效分析。其中主要包括以下步骤:获取半自磨机衬板的失效背景；对衬板进行外观检查，得到衬板失效的信息；对衬板宏观形貌进行观察得到失效形式，预估分析衬板的失效原因；通过材料分析法确定衬板失效的原因。利用本发明可以得出衬板失效的原因为以后衬板性能的优化提供有效依据。
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本发明涉及一种基于细观力学退化模型的复合材料结构失效分析方法，以复合材料三维基本材料性能为输入参数，通过细观力学方法计算得到复合材料损伤后的材料性能，考虑了常见的七种失效模式，包括纤维拉伸，纤维压缩，基体拉伸，基体压缩，纤维-基体剪切，分层拉伸和分层压缩，最终得到复合材料渐进损伤分析中的材料退化模型，并用来进行复合材料结构的失效分析，不仅能够相当准确地预测结构失效强度，同时还能够预测结构的失效模式及位置。本发明基于细观力学退化模型的复合材料结构失效分析方法中，材料退化模型是通过理论分析得出，将复合材料的宏观失效与细观机理联系起来，与现有的基于经验或试验的材料退化模型相比，大大减少了时间和试验成本。
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本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。
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本发明提供了一种晶振失效分析的方法，包括以下步骤：A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。本发明有如下优点：本发明利用有限的分析仪器，在短时间内快速找到晶振元件失效的原因，分析详尽完整，为晶振的工艺生产的改进提供有效信息。
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本发明公开了一种应用于NVM芯片的失效位图分析方法，该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号，测试芯片的擦除、编程、读取功能，用位图分析方法进行分析，存储单元阵列中，缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误，远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确，根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法，将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入，从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息，不仅突破了常规位图分析方法的限制，而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。
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本发明涉及一种用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法，包括：(1)将失效组件置于高温、暗光环境中并保持电注入预设时间；(2)再次进行EL测试和功率测试，获得处理后的EL测试结果和功率测试结果；(3)将处理后的EL测试结果与初始状态的EL测试结果相比较，并将处理后的功率测试结果和初始状态的功率测试结果相比较，若处理后的EL测试结果相对于初始状态的EL测试结果在第一预设范围内且处理后的功率测试结果相对于初始状态的功率测试结果在第二预设范围内，则分析该失效组件为电池片失效；其他比较结果，则分析该失效组件为封装材料导致或电池片浆料接触导致的失效。本发明还提供了相应的装置。
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本发明提供一触器失效检测方法和接触器失效检测系统，其中所述接触器失效检测系统包括一检测电路、一检测模块以及一控制模块，所述检测电路电气连接于所述电池模块和所述接触器，以形成一检测回路，其中所述检测模块被电气连接于所述检测电路，由所述检测模块检测流经所述接触器的电流和对应所述接触器的分压，以得到所述接触器的接触电阻的阻值，其中所述控制模块被电气连接于所述检测电路和所述检测模块，所述检测模块根据所述检测模块检测的数据信息计算所述接触器的温升，并根据所述接触器的实时温度判断所述接触器的有效性。
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本发明公开了对芯片进行失效分析的装置及方法。该装置包括红外金相显微镜、显示器、芯片载台、电流源、金属探针和金属探针调节座，红外金相显微镜适于观测待测芯片发射区的电致发光情况；显示器与红外金相显微镜相连并适于显示红外金相显微镜观测到的情况；芯片载台适于盛放待测芯片；电流源适于输出直流电流并控制输出的直流电流的大小；探针调节座适于将与电流源输出端相连的金属探针的探针尖与待测芯片的电极接触。该装置不仅结构简单，还能通过电致发光情况精确判定待测芯片是否存在失效、失效位置的形状以及失效位置具体是位于芯片内部还是表面，同时可以判定待测芯片失效的电性形态，能够大大提升对芯片进行失效分析的准确率和可靠性。
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一种高效的存储器失效分析方法，可以实现对存储器单元进行可靠性失效分析图形显示的可视化分析方法，能够高效的分析存储器单元在可靠性评测时出现的物理地址、失效方式等，帮助快速定位产品的存储器失效原因；本发明仅提供一种存储器可靠性失效分析的图形化方法，并不限于开发者如何模拟和显示存储器的物理地址分配，依靠在图中显示出存储单元失效的位置以及形式，直观的显示出失效物理地址及分布。
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本发明提供一种制备15CrMo钢过热器管的失效分析样品的方法，所述方法包括：（1）切取待分析的钢件，在切取过程中，保持所述待分析的钢件温度不超过60℃；（2）提供一平坦基板，将所述待分析的钢件粘附于所述基板，其中，所述钢件的待分析表面朝向所述基板；（3）以所述基板为底部，构建围绕所述待分析的钢件的空腔，在该空腔中注入可固化镶嵌料将所述待分析的钢件嵌入所述空腔中；（4）去除通过步骤（3）固化镶嵌后的钢件表面的基板，使待分析表面露出，并对所述待分析表面进行表面处理，使其符合后续分析的要求。通过本发明的方法制备的失效分析样品可以保证样品的切割和镶嵌在失效现场进行，能够完好保存样品原始失效状态，样品制作效率高，消耗少，能够满足后续观测分析的需要。
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本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。
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本申请提供一种电学失效分析方法，包括：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；根据失效晶粒的失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；获取当前高频主导失效权重值；根据各个高频主导失效晶粒的各个结构层的高频失效尺寸、各个低频主导失效晶粒的各个结构层的低频失效尺寸、当前高频主导失效权重值和晶圆的各个结构层的设计尺寸，获取各个结构层的失效偏差值，根据失效偏差值和预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，获取与最大的失效偏差值相对应的最大失效影响层。本申请实施例所提供的电学失效分析方法，可以提高电学失效分析的准确性。
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公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方，将所述目标焊盘电连接至所述空白焊盘上后，所述目标焊盘与所述空白焊盘之间实现电交流。该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。
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本发明涉及一种电力联结金具失效分析方法，包括步骤有：(1)对失效的金具进行现场环境、工作状态及有关信息展开调查并记录；(2)收集与失效金具有关的背景资料；(3)对失效金具进行分析试验，找出失效金具损坏的原因；(4)分析试验结果，得出最终失效结论。通过本发明方法对金具失效过程的分析研究，不但可以弄清金具失效的本质、产生的原因及提出预防的措施，而且有助于查找技术管理方面的薄弱环节，通过确定失效的原因，可完善材料性能、改进设计、选型、安装工艺、检修、检查、监督等各方面工作，提高金具的质量。
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本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission？Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。
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本发明涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统，所述方法包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图，并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP‑WAT mapping图；将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对，计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力，提高效率。
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本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。
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本申请公开了一种堆叠封装结构的失效分析方法及结构，所述堆叠封装结构包括堆叠且粘接在一起的多个裸片，所述多个裸片各自包括裸露的焊盘。所述失效分析方法包括：对所述堆叠封装结构进行电测量，以确认故障裸片；采用探针标记所述故障裸片的焊盘；将所述堆叠封装结构的多个裸片彼此分离；以及对已经标记的所述故障裸片进行失效分析。该失效分析方法从堆叠封装结构中定位和标记故障裸片，在堆叠封装结构的多个裸片分离之后能够快速的找到故障裸片，进一步定位故障裸片的内部位置，因而不仅降低了测试成本，而且提高了效率。
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本发明提供了一种人工耳蜗植入体的失效分析方法。该人工耳蜗植入体失效分析方法包括：ID遥测、阻抗遥测、顺应性测试及刺激输出的测试。本发明提供的人工耳蜗植入体的失效分析方法，旨在解决现有人工耳蜗耳蜗植入体失效分析方法的失效原因定位难、定位不准的问题，有效提升人工耳蜗植入体产品量产的合格率。
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本申请涉及印刷电路板测试技术领域，具体公开一种开路失效分析方法和系统。方法包括：注入射频探测信号至待测电路板线路；接收反射信号，并对所述反射信号进行时域换算，得到时域曲线；对所述时域曲线进行分析，确定所述待测电路板线路的开路位置点。无需对待测电路板进行破坏，避免对失效位置造成破坏而找不到开路位置点，通过对时域曲线的分析可对任意一种开路状态的线路的开路位置进行分析，且准确度较高，另外，相对于外场电磁场扫描定位方法，本申请的失效分析方法成本较低。
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本发明公开了二极管检测技术领域内的二极管失效分析实验用反应釜，包括本体、端盖，所述本体为上端开口的圆形杯状，所述本体的内壁和底部上均设有环形的凹槽，所述凹槽内固定有电热丝，所述电热丝的外侧设有反应杯。所述端盖通过铰链铰接在本体上端的一侧，所述端盖的形状与本体相匹配；所述端盖上设有若干排液孔，端盖与铰链相对一侧的下端向下凸起形成卡台，本体上端与铰链相对的一侧设有卡槽，所述卡台和卡槽相配合。本方案通过电热丝对反应杯加热，降低了实验的不稳定性和危险性，通过设置带有排水孔的端盖，防止样品掉落，避免重复实验，提高了实验效率。
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