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新能源	锂锂矿锂化合物金属锂镍镍矿镍铁精炼镍镍盐高冰镍 MHP 钴电解钴钴粉氯化钴四氧化三钴硫酸钴钴中间品氧化钴碳酸钴钴酸锂锰锰矿电解锰电池级硫酸锰锂电正负极三元前驱体磷酸铁正极材料石油焦针状焦包覆沥青人造石墨硅碳负极硅氧负极硅

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硒化锗单晶

965

规格/型号：10660

品牌：HQ graphene

应用领域：其它材料

产地：北京 - 北京

厂家/供应商：南京牧科纳米科技有限公司

咨询电话:：暂无（请说明信息源自“北方有色网”）

更新时间：2023-11-03

级别：待认证

硒化锗单晶说明介绍

样品名称进口硒化锗GeSe晶体性质半导体带隙待实验确定参数纯度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制颜色：黑色应用半导体电子器件，传感器-探测器，非线性光学，STM-AFM实验，光学器件等研究单晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我们实验室技术生长。我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供晶格的单晶。每块单晶都是有很好的结晶性，分子层间距有较弱的范德华作用力，层状结构以保证易于剥离。单层GeSe具有具有很好的光学性质，机械性质和光学性质。我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶 GeSe块体的尺寸可以达到10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。单晶 GeSe 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的GeSe单晶具有很大的晶畴，可以得到很大的单层。另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。