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工作原理
Helios 400采用双束系统设计，离子束与电子束协同工作：镓离子束（加速电压500V~30kV）通过静电透镜聚焦，实现对样品的亚纳米级加工（刻蚀精度≤5nm），同时扫描电子束（加速电压200V~30kV）捕获表面形貌，生成高分辨率图像。设备支持“离子束切片-电子束成像”的原位分析流程，可精准解析材料内部结构（如半导体芯片层间缺陷、生物样品横截面）。
应用范围
该仪器适用于半导体工业（芯片失效定位、透射电镜样品制备）、材料科学（金属/陶瓷晶界分析、复合材料界面表征）、生物医学（细胞超微结构三维重建）及纳米技术（纳米线/量子点器件加工）等领域。其双束系统可同时完成加工与观察，显著提升微纳分析效率，是高端制造与科研的核心工具。
产品技术参数
离子束参数：加速电压500V~30kV，束流1pA~60nA，刻蚀精度≤5nm
电子束参数：加速电压200V~30kV，分辨率≤1.2nm（30kV，SE模式）
样品台：五轴自动样品台（X/Y/Z/旋转/倾斜，最大尺寸φ150mm，行程50mm）
真空系统：涡轮分子泵+离子泵（本底真空<2×10⁻⁷Pa）
探测器：In-Lens SE探测器（电子束成像）、离子束诱导二次电子探测器
软件平台：Auto Slice & View™（自动三维重构）、Maps™（EDS/EBSD联用）
数据接口：千兆以太网、USB 3.0（支持FEI Velocity™软件）
电源：AC 200-240V（50/60Hz，功率≤3kW）
尺寸：2000mm×1500mm×1800mm（重量≤2000kg）
产品特点
双束协同，精准加工与成像：离子束刻蚀/沉积（≤5nm精度）与电子束成像（≤1.2nm分辨率）同步进行，支持原位三维重构；
宽材料适应性：兼容导体、半导体、绝缘体及生物样品（可选配低温样品台）；
智能化软件平台：Auto Slice & View™自动完成数百层切片与成像，Maps™支持EDS/EBSD联用分析；
高稳定性与耐用性：长期使用束流稳定性±1%，配备自诊断系统与紧急停止功能；
扩展模块兼容性：可选配气体注入系统（GIS，支持铂/碳沉积）、原位拉伸/加热样品台；
安全防护设计：辐射防护罩、离子泵过载保护、数据加密存储，符合实验室安全规范；
合规认证：通过CE认证，符合ISO 17637、ASTM E823标准。
Helios 400提供一年整机质保与离子源校准服务，其精准、高效、多功能的特性，成为聚焦离子束扫描电子显微分析领域的高端解决方案，助力用户实现从材料研发到工业微纳加工的全流程需求。
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