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工作原理
该仪器采用低真空系统与钨灯丝电子枪技术，通过电子束轰击样品表面产生二次电子和背散射电子信号。其核心创新在于高灵敏度低真空二次电子探头（UVD），可在低真空环境下直接捕获电子与残留气体分子碰撞产生的光信号，无需对绝缘或含水样品进行喷金等预处理。配合4分割背散射探测器，可同步采集四个方向的图像信息，实现表面形貌与成分分布的同步分析。
应用范围
TM4000II覆盖材料科学、电子制造、新能源及生命科学等领域。例如，在半导体行业可分析晶圆表面缺陷；在新能源领域可观察锂电池正极材料的颗粒形貌；在金属材料研究中可检测涂层均匀性及裂纹扩展；在生物样本分析中可观察细胞结构或组织切片。其大样品仓设计支持直径80mm、厚度50mm的样品直接加载，满足多样化分析需求。
技术参数
加速电压：5kV/10kV/15kV/20kV四档可调，电流四档可调
放大倍率：10×—100000×
分辨率：优于3nm（20kV条件下）
探测器：UVD低真空二次电子探头、4分割背散射探测器
样品仓尺寸：直径80mm×厚度50mm
分析时间：从装样到获取图像仅需3分钟
数据输出：支持Word/Excel/PowerPoint格式报告自动生成
产品特点
免预处理观察：低真空系统支持绝缘、含水及粉末样品直接分析，消除传统电镜对导电涂层的需求。
多模态成像：可实时叠加二次电子像与背散射电子像，同步获取表面形貌与成分信息。
智能化操作：配备Camera Navi自动导航功能与Report Creator报告生成模块，简化操作流程。
高扩展性：可选配EDX能谱仪实现元素定量分析，或搭配Multi Zigzag功能实现大范围自动拼图。
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