该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：
精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。
坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。
安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在最先进的生产环境中使用。
定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。
支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点”的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。
偶然将籽晶意外浸入熔融
锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法(直拉法)以扬·柴可拉斯基的名字来命名，该技术完全为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为
半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。
现代微电子行业发展迅速，在成本保持不变的前提下，实现更高的集成密度和小到极致的结构体积，这是我们一直以来追求的行业目标。由此产生对生产效率和材料质量方面的更高要求，二者数据的同时提高，必须通过专门调整晶体缺陷的类型和分布来实现。通过对拉晶工艺的精确调整和控制，可以调整缺陷分布，这在单晶炉、控制和反馈控制系统和熔液中的气体对流、炉室中的气流状态以及在后结晶状态的固液界面的温度梯度等方面，对系统制造商提出了突破技术极限的挑战。
PVA TePla拥有独立自主的技术研发实验室，通过与研究机构的密切合作，对系统和工艺研发的最新课题进行研究、应用和测试。我们的技术研发实验室确保每一种新型设备顺利通过严密的高频次测试，并制定相关附属设备高质量检验标准。无论是直拉法工艺开发，还是 PVA TePla的其他产品线，始终沿用此研发模式。
直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉
专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合独特的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。
CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。
产品数据概览:
最大晶棒直径： 12- 18英寸
晶棒长度： 最大2,100 毫米
装料容量 300公斤-450公斤
热场 32 – 36英寸
698 
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