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碳纳米膜制备设备,由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统,红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃,并可在0-1400℃之间连续可调,垂直式分布热场,三点控温(三段长度平均分配),设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统,保温材料为加厚型,壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料,加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
1983
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CVD(G)系列高温真空气氛管式炉专门设计用于高温CVD工艺。如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,优质硅钼棒加热,优质99刚玉管炉膛,气体采用浮子流量计流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制,有效的实现温度的控制。设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。
1969
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设备型号:GXL-15 最高温度:1600℃ 使用温度:RT~1500℃ 炉膛有效容积:200×185×400mm(W×H×D) 炉膛材料:进口氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品 加热元件:优质U型硅钼棒(1800型) 控温点数:1个(B分度热偶) 控温精度:±1℃ 温度均匀性:±5℃(温度1000℃以上,有效区域为炉膛浓缩10%) 温控系统:日本进口64段程序控温仪表,PID参数自整定,超温、断偶报警等保护。 最大加热功率:约12kW 空炉保温功率:约5Kw 供电电源:三相电源,50HZ ,380V±10%;15KW 炉体表面温升: ≤35℃
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陶瓷增强剂增韧剂纳米二氧化锆13305******,13305631650,qq:524915046纳米氧化锆(VK-R30Y3)增韧:**种是“细化理论”,认为纳米级氧化锆(VK-R30Y3,30n
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钛酸锂原料纳米二氧化钛13305******,13305631650,qq:1830343958钛酸锂因其合适的嵌锂电位和稳定的循环性能以及资源丰富、清洁环保等优点在锂离子电池的负极活性材料方面得到了
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2026年01月23日 ~ 24日
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2026年01月21日 ~ 23日
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